Study of substrates for h-BN single crystal growth by chemical vapor deposition method

化学气相沉积法h-BN单晶生长衬底的研究

基本信息

  • 批准号:
    26286025
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 10.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Polarized Raman Scattering of martensitic transformed wurtzite BN
马氏体转变纤锌矿BN的偏振拉曼散射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    八幡あゆみ;石井治之;今野幹男;長尾大輔;渡邊 賢司
  • 通讯作者:
    渡邊 賢司
NIMS Researchers
NIMS研究人员
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Raman spectroscopy study of homoepitaxially grown hexagonal boron nitride
同质外延生长六方氮化硼的拉曼光谱研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Haruyuki Ishii;Motohiro Ishii;Daisuke Nagao;Haruyuki Ishii;Mikio Konno;渡邊賢司
  • 通讯作者:
    渡邊賢司
Boron Nitride Research
氮化硼研究
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
高純度窒化ホウ素単結晶研究の現状と新しい応用展開
高纯氮化硼单晶研究现状及新应用进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    渡邊 賢司;谷口 尚
  • 通讯作者:
    谷口 尚
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    Moriyama Satoshi
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    MUKHERJEE Bablu;Bin ZULKEFLI Mohd Amir;HAYAKAWA Ryoma;WATANABE Kenji;TANIGUCHI Takashi;WAKAYAMA Yutaka;NAKAHARAI Shu
  • 通讯作者:
    NAKAHARAI Shu

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    21K04628
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  • 资助金额:
    $ 10.4万
  • 项目类别:
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知道了