Improvement of device characteristics by elucidation of non-radiative defect formation mechanism in diamond crystals
通过阐明金刚石晶体中非辐射缺陷形成机制来改善器件特性
基本信息
- 批准号：19K05293
- 负责人：
- 金额：$ 2.58万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2023-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（13）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
SiO2/ホウ素添加CVDダイヤモンド界面の過渡光容量法を用いた界面準位評価
采用瞬态光电容法评估SiO2/掺硼CVD金刚石界面的界面态
- DOI：
- 发表时间：2021
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：毎田 修;児玉 大志;兼本 大輔，廣瀬 哲也
- 通讯作者：兼本 大輔，廣瀬 哲也
過渡光容量分光法を用いたボロンドープダイヤモンド薄膜の非輻射欠陥評価
使用瞬态光学电容光谱法评估硼掺杂金刚石薄膜的非辐射缺陷
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Maida;T. Kodama;D. Kanemoto and Tetsuya Hirose;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;Osamu Maida and Ryosuke Yamashita;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
- 通讯作者：毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
Characterization of deep interface states in SiO2/B-doped diamond using the transient photocapacitance method
使用瞬态光电容法表征 SiO2/B 掺杂金刚石的深界面态
- DOI：10.1016/j.tsf.2021.139026
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：O. Maida;D. Kanemoto;and T. Hirose
- 通讯作者：and T. Hirose
ホモエピタキシャル成長ホウ素ドープダイヤモンド半導体結晶の深い欠陥準位評価
同质外延生长的掺硼金刚石半导体晶体中深缺陷水平的评估
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：毎田 修;市川 修平;小島一信
- 通讯作者：小島一信
Characterization of deep level defects in boron-doped (001) and (111) diamond films
硼掺杂（001）和（111）金刚石薄膜深能级缺陷的表征
- DOI：
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Maida;S. Ichikawa;and K. Kojima
- 通讯作者：and K. Kojima
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Maida Osamu其他文献
Development of Highly-Sensitive Transient Photocapacitance Mesurement System for Deep Defects in Boron-Doped Diamond (100) Films
掺硼金刚石（100）薄膜深部缺陷高灵敏瞬态光电容测量系统的研制
- DOI：
10.1109/imfedk.2018.8581973 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Miyawaki Kenta;Yamashita Ryosuke;Kodama Taishi;Maida Osamu - 通讯作者：
Maida Osamu
Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas
使用硅油和臭氧气体沉积的低温氧化硅薄膜中沉积速率和 OH 含量对添加三氯乙烯浓度的依赖性
- DOI：
10.7567/jjap.57.03da02 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Maruoka Kenji;Naito Taiki;Maida Osamu;Ito Toshimichi;Susumu Horita and Puneet Jain - 通讯作者：
Susumu Horita and Puneet Jain
An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems
11.8 nA 超低功耗有源二极管，采用迟滞共栅比较器，适用于低功耗能量收集系统
- DOI：
10.1587/elex.17.20200103 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：
Matsumoto Kaori;Asano Hiroki;Nakazawa Yuichiro;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya - 通讯作者：
Hirose Tetsuya
A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs
由适用于极低压 LSI 的堆叠体偏置逆变器组成的 35mV 电源环形振荡器
- DOI：
10.1587/elex.18.20210065 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：
Nishi Masaya;Matsumoto Kaori;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Sebe Hikaru;Matsuzuka Ryo;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya - 通讯作者：
Hirose Tetsuya
Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C
175℃低温氨气退火高效去除低温氧化硅薄膜中的OH键
- DOI：
10.7567/1347-4065/aafb64 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Miyawaki Kenta;Yamashita Ryosuke;Kodama Taishi;Maida Osamu;Susumu Horita - 通讯作者：
Susumu Horita
Maida Osamu的其他文献
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{{ truncateString('Maida Osamu', 18)}}的其他基金
Elucidation and control of generation mechanism of non-radiative defects in diamond crystal
金刚石晶体非辐射缺陷产生机制的阐明与控制
- 批准号：
16K06262 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似国自然基金
Ryanodine受体RyR1的晶体结构研究
- 批准号：30970572
- 批准年份：2009
- 资助金额：8.0 万元
- 项目类别：面上项目
冷冻干燥技术制备超微粉体中非晶形成与非晶晶化的机理研究
- 批准号：50604001
- 批准年份：2006
- 资助金额：26.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Electronic physical properties analysis and crystal defect distribution of electrode interfaces on wide-gap semiconductor at high temperatures by Raman spectroscopy
拉曼光谱高温下宽禁带半导体电极界面电子物理性质分析及晶体缺陷分布
- 批准号：
23K04607 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Nondestructive measurement of crystal defects using multiphoton excitation photoluminescence
使用多光子激发光致发光无损测量晶体缺陷
- 批准号：
20H02640 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ワイドギャップＳｎ２＋酸化物のｐ型化とキャリア濃度制御技術の確立
p型宽禁带Sn2+氧化物及载流子浓度控制技术的建立
- 批准号：
18J11854 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films
宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶
- 批准号：
26630306 - 财政年份：2014
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Characterization for the atomic structures and electric structures on the GaN substrates during device fabrication process
器件制造过程中 GaN 衬底上原子结构和电结构的表征
- 批准号：
22656038 - 财政年份：2010
- 资助金额：
$ 2.58万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research