Characterization for the atomic structures and electric structures on the GaN substrates during device fabrication process

器件制造过程中 GaN 衬底上原子结构和电结构的表征

• 批准号: 22656038
• 负责人: ENDOU Katsuyoshi
• 金额: $ 2.31万
• 依托单位: Osaka University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22656038/
• 关键词: 窒化ガリウム; 表面科学; 表面原子構造; プロセス表面; 結晶欠陥; 表面清浄化; ワイドギャップ半導体; ウエットエッチング; 発光特性

Based on the systematically investigation, the surface cleaning method for GaN substrate surface has been developed. Clean and atomically flat GaN(0001) surface was successfully formed by the combination of wet etching and annealing in ultra-high vacuum, which should be general cleaning method for GaN. By removing the native oxide and damaged layer, which would be the centers for non-irradiation states, about 120 times intense band-to-band peak intensity was achieved.

在系统研究的基础上，开发了GaN衬底表面的表面清洗方法。通过湿法刻蚀和超高真空退火相结合，成功形成了干净且原子级平坦的GaN（0001）表面，这应该是GaN的通用清洁方法。通过去除原生氧化物和受损层（它们将是非辐照状态的中心），实现了约 120 倍的带间峰值强度。

项目成果

GaN(0001)表面の清浄化手法

GaN(0001)表面清洗方法

• 发表时间: 2010
• 作者: 服部梓;遠藤勝義;服部賢;大門寛
• 通讯作者: 大門寛

Surface Science Chemical etchant dependence of surface structure and morphology on GaN(0001) substrates

表面科学 GaN(0001) 衬底表面结构和形态的化学蚀刻剂依赖性

• 发表时间: 2010
• 期刊: Surface Science
• 影响因子: 1.9
• 作者: A. N. Hattori;F. Kawamura;M. Yoshimura;Y. Kitaoka;Y. Mori;K. Hattori;H. Daimon;and K. Endo
• 通讯作者: and K. Endo

Clean GaN(0001) substrate surface structures and their optical properties

清洁GaN(0001)衬底表面结构及其光学特性

• 发表时间: 2010
• 作者: A.N.Hattori;K.Hattori;H.Daimon;K.Endo
• 通讯作者: K.Endo

表面清浄化前後のGaN(0001)基板の超高真空その場発光測定

GaN(0001)衬底表面清洗前后超高真空原位发光测量

• 发表时间: 2011
• 作者: 服部梓;服部賢;森脇祐太;山本愛士;大門寛;遠藤勝義
• 通讯作者: 遠藤勝義

Surface treatments toward obtaining clean GaN(0001) surfaces on commercial hydride vapor phase epitaxy and metal-organic chemical vapor deposition substrates in ultra high vacuum

超高真空下商用氢化物气相外延和金属有机化学气相沉积衬底上获得清洁 GaN(0001) 表面的表面处理

• 发表时间: 2010
• 期刊: Applied Surface Science
• 影响因子: 6.7
• 作者: A. N. Hattori;K. Endo;K. Hattori;and H. Daimon
• 通讯作者: and H. Daimon