Electronic physical properties analysis and crystal defect distribution of electrode interfaces on wide-gap semiconductor at high temperatures by Raman spectroscopy
拉曼光谱高温下宽禁带半导体电极界面电子物理性质分析及晶体缺陷分布
基本信息
- 批准号：23K04607
- 负责人：
- 金额：$ 3.08万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2023
- 资助国家：日本
- 起止时间：2023-04-01 至 2026-03-31
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
須田 潤其他文献
LaAlO_3結晶におけるラマンスペクトルと格子力学
LaAlO_3晶体的拉曼光谱和晶格动力学
- DOI：
- 发表时间：
2007 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
J. Suda;et. al.;須田 潤;J. Suda;須田 潤;須田 潤 - 通讯作者：
須田 潤
LaGaO_3結晶における1次ラマンスペクトルと格子力学II
LaGaO_3晶体的一阶拉曼光谱和晶格动力学II
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
J. Suda;et. al.;須田 潤;須田 潤 - 通讯作者：
須田 潤
顕微ラマン分光法による積層電極付ワイドギャップ半導体の高温電子物性・熱応力の 非破壊評価の取り組み
利用显微拉曼光谱无损评估堆叠电极宽禁带半导体的高温电子性能和热应力
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
加悦 港人;須田 潤;須田潤 - 通讯作者：
須田潤
LaGaO_3型結晶の1次のラマンスペクトルと格子力学II
LaGaO_3型晶体II的一阶拉曼光谱和晶格动力学
- DOI：
- 发表时间：
2005 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
J. Suda;et. al.;早坂 恭平;K.Hayasaka;須田 潤 - 通讯作者：
須田 潤
顕微ラマン分光法とスペクトル解析による多層電極付n形GaN結晶の高温電子物性に関する研究
利用显微拉曼光谱和光谱分析研究多层电极n型GaN晶体的高温电子特性
- DOI：
- 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
川瀬 幹貴;須田 潤 - 通讯作者：
須田 潤
須田 潤的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
相似海外基金
Development of high-accuracy measurement technique for micro/nano-scale strain and residual strain distributions of semiconductor devices
半导体器件微纳尺度应变及残余应变分布高精度测量技术开发
- 批准号：
18K13665 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
伸線時の高精度応力分布制御を用いた高強度・高延性の複合組織をもつ極細線の創製
利用拉丝过程中的高精度应力分布控制创建具有高强度和高延展性复合结构的超细线材
- 批准号：
16J11098 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Development of Local Semiconductor Crystalline Quality Estimation Method by Electron Back Scatter Diffraction
电子背散射衍射局部半导体晶体质量评估方法的发展
- 批准号：
16K13675 - 财政年份：2016
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Development of a micron-scale plasticity theory and its engineering application
微米级塑性理论的发展及其工程应用
- 批准号：
21560076 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Systematization of the theory of plasticity at the micron scale
微米尺度塑性理论的系统化
- 批准号：
19560072 - 财政年份：2007
- 资助金额：
$ 3.08万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)