Elucidation and control of generation mechanism of non-radiative defects in diamond crystal
金刚石晶体非辐射缺陷产生机制的阐明与控制
基本信息
- 批准号：16K06262
- 负责人：
- 金额：$ 2.91万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2016
- 资助国家：日本
- 起止时间：2016-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
ダイヤモンド(111)基板ホモエピタキシャル成長における基板オフ方位及びメタン濃度依存性
金刚石（111）衬底上同质外延生长的衬底偏离方向和甲烷浓度依赖性
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：児玉大志;毎田修;伊藤利道
- 通讯作者：伊藤利道
Transient photocapacitance measurement for characterization of deep defects in B-doped diamond films
瞬态光电容测量用于表征 B 掺杂金刚石薄膜中的深层缺陷
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Maida;T. Kodama;D. Kanemoto and Tetsuya Hirose;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;Osamu Maida and Ryosuke Yamashita
- 通讯作者：Osamu Maida and Ryosuke Yamashita
単結晶ダイヤモンドのレーザー切断(001)面における電気伝導性及びCLスペクトルの表面処理依存性
单晶金刚石激光切割 (001) 面上电导率和 CL 光谱的表面处理依赖性
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中塚篤志; 本田眞彬;中野百恵;竹原宏明;野田俊彦;笹川清隆;徳田 崇;西山靖浩;垣内喜代三;太田 淳;丸岡 憲史，内藤 大樹，毎田 修，伊藤 利道
- 通讯作者：丸岡 憲史，内藤 大樹，毎田 修，伊藤 利道
(111)ダイヤモンド基板上ホモエピタキシャル成長におけるメタン濃度
(111)金刚石基板上同质外延生长的甲烷浓度
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：O. Maida;T. Kodama;D. Kanemoto and Tetsuya Hirose;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;毎田 修，兼本 大輔，廣瀬 哲也;Osamu Maida and Ryosuke Yamashita;毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
- 通讯作者：毎田修，兼本大輔，廣瀬哲也
SiOxハードマスクを用いた高アスペクト比ダイヤモンドエッチングプロセス
使用 SiOx 硬掩模的高深宽比金刚石蚀刻工艺
- DOI：
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Z. Xu;B. Gu;M. Mori;T. Ziman;and S. Maekawa;別府 晟多，毎田 修，伊藤 利道
- 通讯作者：別府 晟多，毎田 修，伊藤 利道
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
Maida Osamu其他文献
Dependences of deposition rate and OH content on concentration of added trichloroethylene in low-temperature silicon oxide films deposited using silicone oil and ozone gas
使用硅油和臭氧气体沉积的低温氧化硅薄膜中沉积速率和 OH 含量对添加三氯乙烯浓度的依赖性
- DOI：
10.7567/jjap.57.03da02 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Maruoka Kenji;Naito Taiki;Maida Osamu;Ito Toshimichi;Susumu Horita and Puneet Jain - 通讯作者：
Susumu Horita and Puneet Jain
An 11.8 nA ultra-low power active diode using a hysteresis common gate comparator for low-power energy harvesting systems
11.8 nA 超低功耗有源二极管，采用迟滞共栅比较器，适用于低功耗能量收集系统
- DOI：
10.1587/elex.17.20200103 - 发表时间：
2020 - 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：
Matsumoto Kaori;Asano Hiroki;Nakazawa Yuichiro;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya - 通讯作者：
Hirose Tetsuya
A 35-mV supply ring oscillator consisting of stacked body bias inverters for extremely low-voltage LSIs
由适用于极低压 LSI 的堆叠体偏置逆变器组成的 35mV 电源环形振荡器
- DOI：
10.1587/elex.18.20210065 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0.8
- 作者：
Nishi Masaya;Matsumoto Kaori;Kuroki Nobutaka;Numa Masahiro;Sebe Hikaru;Matsuzuka Ryo;Maida Osamu;Kanemoto Daisuke;Hirose Tetsuya - 通讯作者：
Hirose Tetsuya
Highly effective removal of OH bonds in low-temperature silicon oxide films by annealing with ammonia gas at a low temperature of 175 °C
175℃低温氨气退火高效去除低温氧化硅薄膜中的OH键
- DOI：
10.7567/1347-4065/aafb64 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Miyawaki Kenta;Yamashita Ryosuke;Kodama Taishi;Maida Osamu;Susumu Horita - 通讯作者：
Susumu Horita
Maida Osamu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('Maida Osamu', 18)}}的其他基金
Improvement of device characteristics by elucidation of non-radiative defect formation mechanism in diamond crystals
通过阐明金刚石晶体中非辐射缺陷形成机制来改善器件特性
- 批准号：
19K05293 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
ワイドギャップ系パワー半導体のスイッチング機能を用いた直流遮断法の開発
利用宽禁带功率半导体的开关功能开发直流切断方法
- 批准号：
24K00867 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
硫族元素缺陷理论的构建及其在宽禁带半导体设计开发中的发展
- 批准号：
24H00376 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
熱活性化ワイドギャップ半導体シングルナノ粒子による熱触媒機能の開拓
利用热活化宽禁带半导体单纳米粒子开发热催化功能
- 批准号：
23K23183 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用
键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用
- 批准号：
24K08268 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御
超宽带隙半导体双极导电物理特性的阐明和控制
- 批准号：
23K26560 - 财政年份：2024
- 资助金额：
$ 2.91万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)