ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用

键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用

基本信息

  • 批准号:
    24K08268
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.91万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2024
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2024-04-01 至 2027-03-31
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

项目成果

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秋山 亨其他文献

シリコンナノワイヤの構造と電子状態
硅纳米线的结构和电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
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  • 通讯作者:
    伊藤 智徳
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村浩次;名和憲嗣;秋山 亨;伊藤智徳
  • 通讯作者:
    伊藤智徳
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电子相关效应对插入过渡金属氧化物单层的 Fe/MgO 界面磁晶各向异性的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    茂林 佳祐;Abdul-Miuzz Pradipto;秋山 亨;伊藤 智徳;中村 浩次
  • 通讯作者:
    中村 浩次
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  • 发表时间:
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