オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
硫族元素缺陷理论的构建及其在宽禁带半导体设计开发中的发展
基本信息
- 批准号:24H00376
- 负责人:
- 金额:$ 30.45万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
- 财政年份:2024
- 资助国家:日本
- 起止时间:2024-04-01 至 2028-03-31
- 项目状态:未结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
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大場 史康其他文献
遷移状態理論に基づく黒鉛層間化合物中のリチウム拡散挙動
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- DOI:
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- 影响因子:0
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- 发表时间:
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- DOI:
- 发表时间:
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- 影响因子:0
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根据第一原理在反钙钛矿中应变诱导的极性金属相
- DOI:
- 发表时间:
2018 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
望月 泰英;熊谷 悠;赤松 寛文;大場 史康 - 通讯作者:
大場 史康
大場 史康的其他文献
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First-principles design of low-dimensional perovskites for white light emission
白光低维钙钛矿的第一性原理设计
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23KF0030 - 财政年份:2023
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Proton, alpha and gamma irradiation assisted stress corrosion cracking: understanding the fuel-stainless steel interface
质子、α 和 γ 辐照辅助应力腐蚀开裂:了解燃料-不锈钢界面
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