Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films

宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶

基本信息

  • 批准号:
    26630306
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.25万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
  • 财政年份:
    2014
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(19)
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专利数量(0)
Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing
准分子激光退火缓冲液诱导 β-Ga2O3 薄膜室温外延
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    A. Matsuda;D. Shiojiri;H. Uchida;K. Nakamura;N. Tsuchimine;S. Kaneko and M. Yoshimoto
  • 通讯作者:
    S. Kaneko and M. Yoshimoto
PLD 法を用いたβ-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長NiO バッファー層導入による低温化
使用 PLD 方法生长 β-Ga2O3 外延薄膜 通过引入 NiO 缓冲层降低温度
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    福田大二;塩尻大士,山内涼輔;土嶺信男;金子 智;松田晃史;吉本 護
  • 通讯作者:
    吉本 護
室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響
NiO缓冲层对室温激光退火β-Ga2O3薄膜固相外延的影响
  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    中村稀星;内田啓貴;土嶺信男;小山浩司;金子 智;松田晃史;吉本 護
  • 通讯作者:
    吉本 護
吉本・松田研究室ホームページ
吉本松田实验室主页
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
東京工業大学物質理工学院 吉本・松田研究室
东京工业大学材料科学技术学院吉本松田实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
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エキシマレーザーアニーリングによる不純物ドープGa2O3薄膜の固相結晶化および特性評価
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
  • 通讯作者:
    渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
Perforated vesicles composed of amphiphilic diblock copolymer: new artificial biomembrane model of nuclear envelope
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  • DOI:
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;Yoshida Eri
  • 通讯作者:
    Yoshida Eri
テラヘルツ振動領域における表面増強ラマン散乱
太赫兹振动区域的表面增强拉曼散射
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;池田勝佳
  • 通讯作者:
    池田勝佳
ゲート吸着型MOFを用いたCO2吸着分離プロセスの検討
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Chen Yanna;Sakata Osami;Morita Hiroyuki;Matsuda Akifumi;Jia Fanhao;Seo Okkyun;Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ina Toshiaki;Kobayashi Eiichi;Kim Jaemyung;Song Chulho;Hiroi Satoshi;Palina Natalia;Lou Yanfang;Ren Wei;Yoshimoto Mamoru;平出翔太郎
  • 通讯作者:
    平出翔太郎
室温でのパルスレーザー照射によるエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜の作製とドーピングの影響
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
  • 通讯作者:
    渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護

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    2024
  • 资助金额:
    $ 2.25万
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超宽带隙半导体双极导电物理特性的阐明和控制
  • 批准号:
    23K26560
  • 财政年份:
    2024
  • 资助金额:
    $ 2.25万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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