Room-temperature solid-phase epitaxial crystallization of wide-gap semiconducting Ga2O3 thin films
宽带隙半导体Ga2O3薄膜的室温固相外延结晶
基本信息
- 批准号:26630306
- 负责人:
- 金额:$ 2.25万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
- 财政年份:2014
- 资助国家:日本
- 起止时间:2014-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(19)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Buffer-induced room-temperature epitaxy of β-Ga2O3 thin films by excimer laser annealing
准分子激光退火缓冲液诱导 β-Ga2O3 薄膜室温外延
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:A. Matsuda;D. Shiojiri;H. Uchida;K. Nakamura;N. Tsuchimine;S. Kaneko and M. Yoshimoto
- 通讯作者:S. Kaneko and M. Yoshimoto
PLD 法を用いたβ-Ga2O3 エピタキシャル薄膜成長NiO バッファー層導入による低温化
使用 PLD 方法生长 β-Ga2O3 外延薄膜 通过引入 NiO 缓冲层降低温度
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:福田大二;塩尻大士,山内涼輔;土嶺信男;金子 智;松田晃史;吉本 護
- 通讯作者:吉本 護
室温レーザーアニールによるβ-Ga2O3薄膜の固相エピタキシーに与えるNiOバッファ層の影響
NiO缓冲层对室温激光退火β-Ga2O3薄膜固相外延的影响
- DOI:
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:中村稀星;内田啓貴;土嶺信男;小山浩司;金子 智;松田晃史;吉本 護
- 通讯作者:吉本 護
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Yoshimoto Mamoru其他文献
エキシマレーザーアニーリングによる不純物ドープGa2O3薄膜の固相結晶化および特性評価
准分子激光退火掺杂Ga2O3薄膜的固相结晶及表征
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護 - 通讯作者:
渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
Perforated vesicles composed of amphiphilic diblock copolymer: new artificial biomembrane model of nuclear envelope
由两亲性二嵌段共聚物组成的穿孔囊泡:新型核膜人工生物膜模型
- DOI:
10.1039/c9sm01832h - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:
Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;Yoshida Eri - 通讯作者:
Yoshida Eri
テラヘルツ振動領域における表面増強ラマン散乱
太赫兹振动区域的表面增强拉曼散射
- DOI:
- 发表时间:
2020 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Seo Okkyun;Kim Jaemyung;Tang Jiayi;Kumara L.S.R.;Kimoto Koji;Miki Kazushi;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;Sakata Osami;池田勝佳 - 通讯作者:
池田勝佳
ゲート吸着型MOFを用いたCO2吸着分離プロセスの検討
门吸附型MOF吸附分离CO2工艺研究
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Chen Yanna;Sakata Osami;Morita Hiroyuki;Matsuda Akifumi;Jia Fanhao;Seo Okkyun;Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ina Toshiaki;Kobayashi Eiichi;Kim Jaemyung;Song Chulho;Hiroi Satoshi;Palina Natalia;Lou Yanfang;Ren Wei;Yoshimoto Mamoru;平出翔太郎 - 通讯作者:
平出翔太郎
室温でのパルスレーザー照射によるエピタキシャルβ-Ga2O3薄膜の作製とドーピングの影響
室温脉冲激光辐照外延β-Ga2O3薄膜的制备及掺杂的影响
- DOI:
- 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:
Seo Okkyun;Tayal Akhil;Kim Jaemyung;Song Chulho;Chen Yanna;Hiroi Satoshi;Katsuya Yoshio;Ina Toshiaki;Sakata Osami;Ikeya Yuki;Takano Shiori;Matsuda Akifumi;Yoshimoto Mamoru;甲斐稜也・渡邉一樹・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護;渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護 - 通讯作者:
渡邉一樹・甲斐稜也・大賀友瑛・金子智・松田晃史・吉本護
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Room-temperature laser-induced fabrication of novel functional oxide thin films
新型功能氧化物薄膜的室温激光诱导制造
- 批准号:
18H01702 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Construction of nano-structured functional thin films on flexible nanoimprinted polymer substrates with atomically patterned surfaces
在具有原子图案表面的柔性纳米压印聚合物基底上构建纳米结构功能薄膜
- 批准号:
18K18995 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Fabrication of nano-patterned organic polymer substrates with atomic steps for creation of functional nanostructures
通过原子步骤制造纳米图案有机聚合物基材,以创建功能性纳米结构
- 批准号:
16K13636 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Solid-phase crystallization of oxide thin films on nanoscale-controlled substrates via post-annealing under uniaxial compression for exploring the novel functionalities
通过单轴压缩后退火在纳米级控制基底上固相结晶氧化物薄膜以探索新功能
- 批准号:
24360269 - 财政年份:2012
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
相似海外基金
ワイドギャップ系パワー半導体のスイッチング機能を用いた直流遮断法の開発
利用宽禁带功率半导体的开关功能开发直流切断方法
- 批准号:
24K00867 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
オキシカルコゲナイドの欠陥学理の構築とワイドギャップ半導体の設計・開拓への展開
硫族元素缺陷理论的构建及其在宽禁带半导体设计开发中的发展
- 批准号:
24H00376 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
熱活性化ワイドギャップ半導体シングルナノ粒子による熱触媒機能の開拓
利用热活化宽禁带半导体单纳米粒子开发热催化功能
- 批准号:
23K23183 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
ボンドエンジニアリング記述子の開発とそのワイドギャップ半導体結晶成長への適用
键合工程描述符的开发及其在宽禁带半导体晶体生长中的应用
- 批准号:
24K08268 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
超ワイドギャップ半導体の両極性電気伝導発現に向けた物性の解明と制御
超宽带隙半导体双极导电物理特性的阐明和控制
- 批准号:
23K26560 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.25万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)