CAREER: Dielectric Engineering of Quantum Wire Solids: Fundamentals to Applications
职业:量子线固体的介电工程:应用基础
基本信息
- 批准号:0645698
- 负责人:
- 金额:$ 58万
- 依托单位:
- 依托单位国家:美国
- 项目类别:Continuing Grant
- 财政年份:2007
- 资助国家:美国
- 起止时间:2007-04-01 至 2012-09-30
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
Technical: This project addresses fundamental properties of quantum-wires with emphasis on control of electronic and optical properties by the dielectric environment. Dielectric modification is anticipated as an addition to bandgap and effective mass control commonly applied to epitaxial semiconductor heterostructures. The research plan includes: 1. theory for the effect of dielectric environments on transport properties of quantum-wires, 2. materials/configuration design and test to achieve desired properties of quantum-wires. The research addressed is expected to lead to development of unconventional methods to control and use quantum-wires in electronic and optical devices forming the basis for a wide range of applications such as transistors, light-emitting diodes, photodetectors, and photovoltaics. The effect of the dielectric environment on the properties of quantum wires may also seed ideas for sensor technologies. Non-technical: The project addresses basic research issues in a topical area of materials science having high technological relevance. The research will contribute basic materials science knowledge at a fundamental level to new understanding and capabilities for potential next generation electronic/photonic devices. The project provides unique opportunities for graduate and undergraduate training in an interdisciplinary field. The project also includes an outreach program comprising on-site experimental demonstration of nanoscale scanning probe techniques for local high-school students with collaboration of a high-school teacher.
技术:该项目介绍了量子 - 网络的基本特性,重点是通过介电环境控制电子和光学性质。预计介电修饰是对带隙和通常应用于外延半导体异质结构的有效质量控制的补充。研究计划包括:1。介电环境对量子 - 威利的传输特性的影响的理论,2。材料/配置设计和测试以实现量子 - 网络的所需特性。预计所解决的研究将导致在电子和光学设备中控制和使用量子 - 线的非常规方法的发展,从而为晶体管,发光二极管,光电探测器和光伏构成广泛应用的基础。介电环境对量子线特性的影响也可能为传感器技术播种。非技术:该项目解决了具有高技术相关性的材料科学局部研究领域的基础研究问题。这项研究将在基本层面上为基本材料的知识提供贡献,以实现潜在的下一代电子/光子设备的新理解和能力。该项目为跨学科领域的研究生和本科培训提供了独特的机会。该项目还包括一项外展计划,包括与高中老师合作的当地高中生的纳米级扫描探针技术的现场实验演示。
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
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- 影响因子:0
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{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
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