RIA: Simulating Patterned Substrate Epitaxy of Gallium- Arsenide Rand Related Compounds

RIA:模拟砷化镓和相关化合物的图案化衬底外延

基本信息

  • 批准号:
    9008973
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 5.92万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    美国
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 财政年份:
    1990
  • 资助国家:
    美国
  • 起止时间:
    1990-07-01 至 1992-08-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

To develop a computer program which can simulate the growth of GaAs and related compounds on patterned substrates by Organometallic Chemical Vapor Deposition (OMCVD). The growth simulation is based on the Wulff construction technique which has been shown to accurately predict the shapes of epitaxial layers grown on patterned substrates. In order to perform the Wulff constructions a detailed knowledge of the oreintation dependence of the growth rate is needed. Therefore, a comprehensive investigation of the OMCVD growth rate as a function of crystallographic orientation, growth temperature, and alloy composition will be conducted. Such a simulation program will be very useful for designing discrete and/or integrated microwave millimeter-wave, and optoelectronic devices and circuits.
开发一种计算机程序,可以通过有机金属化学气相沉积 (OMCVD) 模拟 GaAs 和相关化合物在图案化基板上的生长。 生长模拟基于 Wulff 构造技术,该技术已被证明可以准确预测在图案化基板上生长的外延层的形状。 为了执行武尔夫构造,需要详细了解增长率的定向依赖性。 因此,将对 OMCVD 生长速率作为晶体取向、生长温度和合金成分的函数进行全面研究。 这样的模拟程序对于设计分立和/或集成微波毫米波以及光电器件和电路非常有用。

项目成果

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