管件内壁离子注入新技术的机理研究

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号:
    10275088
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    30.0万
  • 负责人:
  • 依托单位:
  • 学科分类:
    A3003.离子注入及离子束材料改性
  • 结题年份:
    2005
  • 批准年份:
    2002
  • 项目状态:
    已结题
  • 起止时间:
    2003-01-01 至2005-12-31

项目摘要

利秀等离子体源对管件内壁进行离子注入的改性处理技术,是由我们在国际上首先提出的具有自主知识产权的高新实用技术,具有很广的工业应用前景。与管壁外表面改性机理相比较,由于电场分布、等离子体鞘层等一些物理问题的特殊性,使管件内表面改性处理更加复杂。从实验和理论上对其机理进行深入研究无疑对该技术的产业化应用具有十分重要的意义。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量(9)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(6)
专利数量(0)
Grid-shadow effect in grid-enhanced plasma source ion implantation
网格增强等离子体源离子注入中的网格阴影效应
  • DOI:
    10.1016/j.surfcoat.2004.04.069
  • 发表时间:
    2005-03
  • 期刊:
    Surf. Coat. Technol.
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    王久丽;张谷令;王友年;刘元富;刘赤子;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
Influence of ion species ratio on grid-enhanced plasma source ion implantation
离子种类比对栅极增强等离子体源离子注入的影响
  • DOI:
    10.1088/1009-1963/13/1/013
  • 发表时间:
    2004
  • 期刊:
    Chin. Phys
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    王久丽;张谷令;刘赤子;杨思泽等
  • 通讯作者:
    杨思泽等
Influence of grid and target radius and ion-neutral collisions on grid-enhanced plasma source ion implantation
栅极和靶半径以及离子中性碰撞对栅极增强等离子体源离子注入的影响
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    J. Phys. D: Appl. Phys
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    王久丽;张谷令;刘赤子;杨思泽等
  • 通讯作者:
    杨思泽等
等离子体源离子注入离子鞘层及鞘层扩展动力学计算方法
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    科学通报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    王久丽;张谷令;王友年;刘元富;刘赤子;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
Properties of TiN coating on 45# steel for inner surface modification by grid-enhanced plasma source ion implantation method
45上TiN涂层的性能
  • DOI:
    10.1088/1009-1963/13/8/022
  • 发表时间:
    2004-08
  • 期刊:
    Chin. Phys
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    张谷令;王久丽;刘元富;刘赤子;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--"}}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--" }}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--"}}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

其他文献

Pulsed Plama Growth of Cubic and Diamond -likc-BN Fihos at low Presswre and Room Temp
立方晶系和类金刚石-BN Fihos 在低压和室温下的脉冲等离子体生长
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    Phys Stat Sol
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
立方氮化硼薄膜的脉冲等离子体室温生长
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    科学通报
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
A metal plasma source ion implantaion and depostition(MPSIID)
金属等离子体源离子注入和沉积(MPSIID)
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    System.Rev.Sci.Instrum.
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    刘斌;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
Alumian, aluminium nitride and aluminium compostite coating on 0.45%C steel by using a plasma source ion implantation and depostition system
铝、%20铝%20氮化物%20和%20铝%20复合%20涂层%20on%200.45%C%20钢%20by%20使用%20a%20等离子体%20源%20离子%20注入%20和%20沉积%20系统
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    Thin Solid Film
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    刘斌;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽
Room Temp Synthesis of C-BN Films by Pulse High Eueigy Density Plasma
脉冲高能量密度等离子体室温合成立方氮化硼薄膜
  • DOI:
    --
  • 发表时间:
    --
  • 期刊:
    J of Crystal Growth
  • 影响因子:
    --
  • 作者:
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者:
    杨思泽

其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi || "--" }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year || "--"}}
  • 期刊:
    {{ item.journal_name }}
  • 影响因子:
    {{ item.factor || "--" }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}
empty
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    10675165
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    1987
  • 资助金额:
    5.0 万元
  • 项目类别:
    专项基金项目
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    2.0 万元
  • 项目类别:
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相似国自然基金

{{ item.name }}
  • 批准号:
    {{ item.ratify_no }}
  • 批准年份:
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额:
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}

相似海外基金

{{ item.name }}
{{ item.translate_name }}
  • 批准号:
    {{ item.ratify_no }}
  • 财政年份:
    {{ item.approval_year }}
  • 资助金额:
    {{ item.support_num }}
  • 项目类别:
    {{ item.project_type }}
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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AI项目解读示例

课题项目:调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要:

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题,其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子,其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而,TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用,影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法,探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用,为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义,并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路:

科学问题:TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达?
前期研究:已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应,但其具体机制尚不明确。
研究创新点:本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线:包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术:TRIM2与病毒RNA的相互作用分析,IFN-β启动子活性检测。
实验模型:使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
      
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