HEDP法材料表面金属化及界面研究
项目介绍
AI项目解读
基本信息
- 批准号:59871060
- 项目类别:面上项目
- 资助金额:13.0万
- 负责人:
- 依托单位:
- 学科分类:E0103.金属材料使役行为与表面工程
- 结题年份:2001
- 批准年份:1998
- 项目状态:已结题
- 起止时间:1999-01-01 至2001-12-31
- 项目参与者:韦鲲; 李兵; 任育峰; 刘斌;
- 关键词:
项目摘要
脉冲高能量密度等离子体枪(HEDP)法材料表面、界面改性是受控核聚变技术用于材料科学的新方向。本课题采用HEDP法对于材料表面进行金属化,进而对于HEDP金属膜/材料界面的⒐酆秃旯坌形醒芯浚⒎⒄共牧媳砻娼鹗艋椒ê痛俳鳫EDP法材料表面、界面改性际跸蚴涤没⒄固峁├砺垡谰荨
结项摘要
项目成果
期刊论文数量(6)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Effect of chromium nitride coating on the corrosion and wear resistance of stainless steel
氮化铬涂层对不锈钢耐蚀耐磨性能的影响
- DOI:10.1016/s0169-4332(99)00350-5
- 发表时间:2000-02-01
- 期刊:APPLIED SURFACE SCIENCE
- 影响因子:6.7
- 作者:Jagielski, J;Khanna, AS;Zalar, A
- 通讯作者:Zalar, A
Pulsed high energy density plasma processing silicon surface
脉冲高能量密度等离子体处理硅表面
- DOI:10.1016/s0040-6090(01)00927-0
- 发表时间:2001-06
- 期刊:Thin Solid Films
- 影响因子:2.1
- 作者:B.Liu;C.Z.Liu;D.J.Cheng;R.He;S.Z.Yang
- 通讯作者:S.Z.Yang
Diamond growth on steel substrates with Sl-N interlayer produced by high power plasma streams
高功率等离子流产生的具有 Sl-N 中间层的钢基底上的金刚石生长
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Materials Chemistry and Physis
- 影响因子:--
- 作者:H.X.Zhang;Y.B.Jiang;S.Z.Yang;Z.D.Lin K.Z.Feng
- 通讯作者:Z.D.Lin K.Z.Feng
Investigation of Titanium coating on Si3N4 by using Pulsed High Energy Density Plasma gun
使用脉冲高能密度等离子枪研究 Si3N4 钛涂层
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Thin Solid Films
- 影响因子:2.1
- 作者:Bin.Liu;J.Z.Zhang et al;S.Z.Yang
- 通讯作者:S.Z.Yang
Study of corrosion resistance property and microstructure of TiNi shape memory alloy modified by pulsed high-energy density plasma
脉冲高能密度等离子体改性TiNi形状记忆合金耐蚀性能及显微组织研究
- DOI:10.1016/s0169-4332(99)00494-8
- 发表时间:2000-04
- 期刊:Applied Surface Science
- 影响因子:6.7
- 作者:Y.Fu;X.F.Wu;Y.Wang;B.Li;S.Z.Yang
- 通讯作者:S.Z.Yang
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其他文献
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立方晶系和类金刚石-BN Fihos 在低压和室温下的脉冲等离子体生长
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- 发表时间:--
- 期刊:Phys Stat Sol
- 影响因子:--
- 作者:闫鹏勋;杨思泽
- 通讯作者:杨思泽
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:科学通报
- 影响因子:--
- 作者:闫鹏勋;杨思泽
- 通讯作者:杨思泽
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- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:System.Rev.Sci.Instrum.
- 影响因子:--
- 作者:刘斌;杨思泽
- 通讯作者:杨思泽
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铝、%20铝%20氮化物%20和%20铝%20复合%20涂层%20on%200.45%C%20钢%20by%20使用%20a%20等离子体%20源%20离子%20注入%20和%20沉积%20系统
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:Thin Solid Film
- 影响因子:--
- 作者:刘斌;杨思泽
- 通讯作者:杨思泽
Room Temp Synthesis of C-BN Films by Pulse High Eueigy Density Plasma
脉冲高能量密度等离子体室温合成立方氮化硼薄膜
- DOI:--
- 发表时间:--
- 期刊:J of Crystal Growth
- 影响因子:--
- 作者:闫鹏勋;杨思泽
- 通讯作者:杨思泽
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