高能量密度等离子体法制备立方氮化硼薄膜

结题报告
项目介绍
AI项目解读

基本信息

  • 批准号：
    59372102
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    9.0万
  • 负责人：
    杨思泽
  • 依托单位：
    中国科学院物理研究所
  • 学科分类：
    E0207.无机非金属半导体与信息功能材料
  • 结题年份：
    1996
  • 批准年份：
    1993
  • 项目状态：
    已结题
  • 起止时间：
    1994-01-01 至1996-12-31

项目摘要

脉冲高能量密度等离子体制备立方氮化硼薄膜是利用我们实验室的等离子体枪进行立方氮化硼制备的实验研究。等离子体参数为：温度10（5）-10（6）（0）K；密度10（14）-10（16）cm（-3）；平均速度10-100km/s；脉冲宽度10-100μs。当脉冲等离子体轟出样品时，可在材料表面产生沉积、注入、泽火等效应。使用50%B2H6+50%N2的混合气体为等离子体源，混合气体被电离后，B，H，N都处子离化态，当沉积于样品表面时，由于等离子体轟出瞬间的高温高压效应，可以在材料表面生成立方氮化硼薄膜。我们在室温低压条件下成功地在单晶硅和GCrB钢上制备了具有立方相比例较大的氮化硼薄膜。红外吸收谱、XRD及TEM分析证明了立方氮化硼的生成。样品表面硬度大大提高。

结项摘要

项目成果

期刊论文数量（6）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Production of C-BN Films and Smface Modification of GCr15 Steel Using HEDP at Room T emp
室温下HEDP制备C-BN薄膜及GCr15钢表面改性
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Applied Surface Sciencc
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
室温低压下脉冲等离子体生长立方氮化硼薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    金属学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
Room Temp Synthesis of C-BN Films by Pulse High Eueigy Density Plasma
脉冲高能量密度等离子体室温合成立方氮化硼薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    J of Crystal Growth
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
Pulsed Plasma Deposition c-BN Thin Films on Silicon Substrate
硅基底上的脉冲等离子体沉积 c-BN 薄膜
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Phys. Stat. Sol.
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
Pulsed Plama Growth of Cubic and Diamond -likc-BN Fihos at low Presswre and Room Temp
立方晶系和类金刚石-BN Fihos 在低压和室温下的脉冲等离子体生长
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Phys Stat Sol
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    闫鹏勋;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽

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其他文献

A metal plasma source ion implantaion and depostition(MPSIID)
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 作者：
    刘斌;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
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铝、%20铝%20氮化物%20和%20铝%20复合%20涂层%20on%200.45%C%20钢%20by%20使用%20a%20等离子体%20源%20离子%20注入%20和%20沉积%20系统
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
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  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    刘斌;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
管状铝质材料的等离子体电解沉积行为研究
  • DOI：
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  • 发表时间：
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  • 期刊：
    物理学报
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    陈睨;陈光良;吕国华;顾伟超;冯文然;张谷令;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
Corrosion Resistance and Microstructure of Stainless Steel Modified by Pulsed High Energy Density Plasma
脉冲高能密度等离子体改性不锈钢的耐蚀性和显微组织
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    --
  • 期刊：
    Journal of Materials science
  • 影响因子：
    4.5
  • 作者：
    韦鲲;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽
电源占空比对镁合金等离子体电解氧化陶瓷层腐蚀性能的影响
  • DOI：
    --
  • 发表时间：
    2013
  • 期刊：
    功能材料
  • 影响因子：
    --
  • 作者：
    李立;吕国华;杨思泽
  • 通讯作者：
    杨思泽

其他文献

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  • 资助金额：
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相似国自然基金

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AI项目解读示例

课题项目：调控A型流感病毒诱导IFN-β表达的机制研究

AI项目摘要：

本研究聚焦于TRIM2蛋白在A型流感病毒诱导的IFN-β表达中的调控机制。A型流感病毒是全球性健康问题，其感染可导致严重的呼吸道疾病。IFN-β作为关键的抗病毒因子，其表达水平对抗病毒防御至关重要。然而，TRIM2如何调控IFN-β的表达尚未明确。本研究假设TRIM2通过与病毒RNA或宿主因子相互作用，影响IFN-β的产生。我们将采用分子生物学、细胞生物学和免疫学方法，探索TRIM2与A型流感病毒诱导IFN-β表达的关系。预期结果将揭示TRIM2在抗病毒免疫反应中的作用，为开发新的抗病毒策略提供理论基础。该研究对理解宿主抗病毒机制具有重要科学意义，并可能对临床治疗流感病毒感染提供新的视角。

AI项目思路：

科学问题：TRIM2如何调控A型流感病毒诱导的IFN-β表达？
前期研究：已有研究表明TRIM2参与抗病毒反应，但其具体机制尚不明确。
研究创新点：本研究将深入探讨TRIM2在IFN-β表达中的直接作用机制。
技术路线：包括病毒学、分子生物学、细胞培养和免疫检测技术。
关键技术：TRIM2与病毒RNA的相互作用分析，IFN-β启动子活性检测。
实验模型：使用A型流感病毒感染的细胞模型进行研究。

AI技术路线图

        graph TD
          A[研究起始] --> B[文献回顾与假设提出]
          B --> C[实验设计与方法学准备]
          C --> D[A型流感病毒感染模型建立]
          D --> E[TRIM2与病毒RNA相互作用分析]
          E --> F[TRIM2对IFN-β启动子活性的影响]
          F --> G[IFN-β表达水平测定]
          G --> H[TRIM2功能丧失与获得研究]
          H --> I[数据收集与分析]
          I --> J[结果解释与科学验证]
          J --> K[研究结论与未来方向]
          K --> L[研究结束]
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