'Solid Phase Epitaxy' - GaAs : Materials and Devices
“固相外延” - GaAs：材料和器件
基本信息
- 批准号：182748-1995
- 负责人：
- 金额：$ 3.21万
- 依托单位：
- 依托单位国家：加拿大
- 项目类别：Collaborative Research and Development Grants
- 财政年份：1995
- 资助国家：加拿大
- 起止时间：1995-01-01 至 1996-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
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项目成果
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Thin film electronic, photonic, and mechanical device, design, fabrication, and physical characterisation
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- 批准号：
19H02614 - 财政年份：2019
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$ 3.21万 - 项目类别：
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- 批准号：
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Sub-Lithography using Lateral Solid Phase Epitaxy
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- 批准号：
316288-2005 - 财政年份：2007
- 资助金额：
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Alexander Graham Bell Canada Graduate Scholarships - Doctoral
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Sub-Lithography using Lateral Solid Phase Epitaxy
使用横向固相外延的亚光刻
- 批准号：
316288-2005 - 财政年份：2006
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