Fast Switching Zincblende GaN LEDs
快速开关闪锌矿 GaN LED
基本信息
- 批准号：EP/W03557X/1
- 负责人：
- 金额：$ 74.68万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2022
- 资助国家：英国
- 起止时间：2022 至 无数据
- 项目状态：未结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（5）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Polarity determination of crystal defects in zincblende GaN by aberration-corrected electron microscopy
通过像差校正电子显微镜测定闪锌矿 GaN 晶体缺陷的极性
- DOI：10.1063/5.0138478
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Xiu H
- 通讯作者：Xiu H
Investigation of wurtzite formation in MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on AlxGa1-xN nucleation layers
AlxGa1-xN 成核层上 MOVPE 生长的闪锌矿 GaN 外延层中纤锌矿形成的研究
- DOI：10.1063/5.0077186
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Gundimeda A
- 通讯作者：Gundimeda A
Influence of Al x Ga 1-x N nucleation layers on MOVPE-grown zincblende GaN epilayers on 3C-SiC/Si(001)
Al x Ga 1-x N 成核层对 3C-SiC/Si(001) 上 MOVPE 生长的闪锌矿 GaN 外延层的影响
- DOI：10.1088/1361-6463/ac4c58
- 发表时间：2022
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Gundimeda A
- 通讯作者：Gundimeda A
MOVPE studies of zincblende GaN on 3C-SiC/Si(0 0 1)
3C-SiC/Si 上闪锌矿 GaN 的 MOVPE 研究(0 0 1)
- DOI：10.1016/j.jcrysgro.2023.127182
- 发表时间：2023
- 期刊：
- 影响因子：1.8
- 作者：Wade T
- 通讯作者：Wade T
Cubic GaN and InGaN/GaN quantum wells
- DOI：10.1063/5.0097558
- 发表时间：2022-12
- 期刊：
- 影响因子：15
- 作者：D. Binks;P. Dawson;R. Oliver;D. Wallis
- 通讯作者：D. Binks;P. Dawson;R. Oliver;D. Wallis
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- 影响因子：0
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- DOI：
- 发表时间：
2022 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
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Royal Liverpool
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- 资助金额：
$ 74.68万 - 项目类别：