Study of semi-polar and non-polar nitride based structures for opto-electronic device applications
用于光电器件应用的半极性和非极性氮化物基结构的研究
基本信息
- 批准号：EP/J003603/1
- 负责人：
- 金额：$ 71.45万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2012
- 资助国家：英国
- 起止时间：2012 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Effects of a Si-doped InGaN Underlayer on the Optical Properties of InGaN/GaN Quantum Well Structures with Different Numbers of Quantum Wells.
- DOI：10.3390/ma11091736
- 发表时间：2018-09-15
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Christian G;Kappers M;Massabuau F;Humphreys C;Oliver R;Dawson P
- 通讯作者：Dawson P
Nanocathodoluminescence Reveals Mitigation of the Stark Shift in InGaN Quantum Wells by Si Doping.
- DOI：10.1021/acs.nanolett.5b03531
- 发表时间：2015-11-11
- 期刊：
- 影响因子：10.8
- 作者：Griffiths JT;Zhang S;Rouet-Leduc B;Fu WY;Bao A;Zhu D;Wallis DJ;Howkins A;Boyd I;Stowe D;Kappers MJ;Humphreys CJ;Oliver RA
- 通讯作者：Oliver RA
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- DOI：10.1063/1.4948237
- 发表时间：2016-05-14
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Dawson, P.;Schulz, S.;Humphreys, C. J.
- 通讯作者：Humphreys, C. J.
Comparative studies of efficiency droop in polar and non-polar InGaN quantum wells
- DOI：10.1063/1.4954236
- 发表时间：2016-06-20
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Davies, M. J.;Dawson, P.;Oliver, R. A.
- 通讯作者：Oliver, R. A.
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- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Griffiths J
- 通讯作者：Griffiths J
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