Room-Temperature Single Atom Silicon Quantum Electronics

室温单原子硅量子电子学

基本信息

  • 批准号:
    EP/V027700/1
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 59.5万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    英国
  • 项目类别:
    Research Grant
  • 财政年份:
    2021
  • 资助国家:
    英国
  • 起止时间:
    2021 至 无数据
  • 项目状态:
    未结题

项目摘要

Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前,GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要,但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。

项目成果

期刊论文数量(2)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Detection Sensitivity Limit of Hundreds of Atoms with X-Ray Fluorescence Microscopy
X 射线荧光显微镜对数百个原子的检测灵敏度极限
  • DOI:
    10.48550/arxiv.2310.03409
  • 发表时间:
    2023
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masteghin M
  • 通讯作者:
    Masteghin M
Single-Atom Control of Arsenic Incorporation in Silicon for High-Yield Artificial Lattice Fabrication
单原子控制砷在硅中的掺入用于高产人工晶格制造
  • DOI:
    10.1002/adma.202312282
  • 发表时间:
    2024
  • 期刊:
  • 影响因子:
    29.4
  • 作者:
    Stock T
  • 通讯作者:
    Stock T
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  • 通讯作者:
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  • 作者:
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  • 作者:
    Nico Seidler;Neil Curson;G. M. Lazzerini;G. Destri;Giovanni Marletta;Oliver Fenwick;F. D. Stasio
  • 通讯作者:
    F. D. Stasio

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  • 通讯作者:
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  • 资助金额:
    $ 59.5万
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作者:{{ showInfoDetail.author }}

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