Study of semi-polar and non-polar nitride based structures for opto-electronic device applications
用于光电器件应用的半极性和非极性氮化物基结构的研究
基本信息
- 批准号：EP/J003603/1
- 负责人：
- 金额：$ 71.45万
- 依托单位：
- 依托单位国家：英国
- 项目类别：Research Grant
- 财政年份：2012
- 资助国家：英国
- 起止时间：2012 至 无数据
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
Abstracts are not currently available in GtR for all funded research. This is normally because the abstract was not required at the time of proposal submission, but may be because it included sensitive information such as personal details.
目前，GtR 中尚未提供所有资助研究的摘要。这通常是因为在提交提案时不需要摘要，但可能是因为它包含个人详细信息等敏感信息。
项目成果
期刊论文数量（10）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Nano-cathodoluminescence reveals the effect of electron damage on the optical properties of nitride optoelectronics and the damage threshold
纳米阴极发光揭示电子损伤对氮化物光电器件光学性能的影响及损伤阈值
- DOI：10.1063/1.4965989
- 发表时间：2016-10-28
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：J. Griffiths;Siyuan Zhang;J. Lhuillier;D;an Zhu;an;W. Fu;A. Howkins;I. Boyd;D. Stowe;D. Wallis;C. Humphreys;R. Oliver
- 通讯作者：R. Oliver
Comparative studies of efficiency droop in polar and non-polar InGaN quantum wells
极性和非极性InGaN量子阱效率下降的比较研究
- DOI：http://dx.10.1063/1.4954236
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Davies M
- 通讯作者：Davies M
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硅掺杂 InGaN 底层对不同量子阱数量的 InGaN/GaN 量子阱结构光学性能的影响。
- DOI：http://dx.10.3390/ma11091736
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Christian G
- 通讯作者：Christian G
The microstructure of non-polar a-plane (112¯0) InGaN quantum wells
非极性a面(112×0)InGaN量子阱的微观结构
- DOI：http://dx.10.1063/1.4948299
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Griffiths J
- 通讯作者：Griffiths J
The nature of carrier localisation in polar and nonpolar InGaN/GaN quantum wells
极性和非极性 InGaN/GaN 量子阱中载流子局域化的性质
- DOI：http://dx.10.1063/1.4948237
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：3.2
- 作者：Dawson P
- 通讯作者：Dawson P
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 发表时间：
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- 影响因子：0
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- 发表时间：
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- 影响因子：1.8
- 作者：
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21H01030 - 财政年份：2021
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19J11599 - 财政年份：2019
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$ 71.45万 - 项目类别：
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