Thin-film stabilization of polar oxide semiconductors and the development of multi-level ferroelectric memory devices
极性氧化物半导体的薄膜稳定性和多级铁电存储器件的开发
基本信息
- 批准号:19H02423
- 负责人:
- 金额:$ 11.65万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2019
- 资助国家:日本
- 起止时间:2019-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(11)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
イルメナイト型酸化物超格子におけるIrO6ハニカム格子の安定化
钛铁矿型氧化物超晶格中 IrO6 蜂窝晶格的稳定化
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原 宏平;三浦 径;仲山 啓;石川 亮;柴田 直哉;塚﨑 敦
- 通讯作者:塚﨑 敦
Thin-film growth and interface engineering of high-mobility Sn oxides
高迁移率锡氧化物的薄膜生长和界面工程
- DOI:
- 发表时间:2019
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原 宏平
- 通讯作者:藤原 宏平
Ru置換Cr2O3薄膜における絶縁体金属転移とRu3+状態
Ru 取代的 Cr2O3 薄膜中的绝缘体-金属转变和 Ru3+ 态
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原 宏平;北村 未歩;志賀 大亮;丹羽 尉博;堀場 弘司;野島 勉;太田 裕道;組頭 広志;塚﨑 敦
- 通讯作者:塚﨑 敦
イルメナイト型酸化物超格子におけるIrO6ハニカム格子の安定化
钛铁矿型氧化物超晶格中 IrO6 蜂窝晶格的稳定化
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:藤原 宏平;三浦 径;仲山 啓;石川 亮;柴田 直哉;塚﨑 敦
- 通讯作者:塚﨑 敦
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- 影响因子:5.5
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Tsukazaki Atsushi
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- 影响因子:5.9
- 作者:
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Tsukiyama Tomoyuki
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19J15504 - 财政年份:2019
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$ 11.65万 - 项目类别:
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- 资助金额:
$ 11.65万 - 项目类别:
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