Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET
基于氮化物/氧化物叠层结构的铁电性能研究及其在金刚石FET中的应用
基本信息
- 批准号:16K06330
- 负责人:
- 金额:$ 3.08万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2016
- 资助国家:日本
- 起止时间:2016-04-01 至 2019-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
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Logic Circuits With Hydrogenated Diamond Field-Effect Transistors
具有氢化金刚石场效应晶体管的逻辑电路
- DOI:10.1109/led.2017.2702744
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:4.9
- 作者:J. Liu; H. Ohsato; M. Liao; M. Imura; E. Watanabe;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
High-k ZrO2/Al2O3 bilayer on hydrogenated diamond: Band configuration, breakdown field, and electrical properties of field-effect transistors
氢化金刚石上的高 k ZrO2/Al2O3 双层:场效应晶体管的能带配置、击穿场和电性能
- DOI:10.1063/1.4962851
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. W. Liu; M. Y. Liao; M. Imura;Y.Koide
- 通讯作者:Y.Koide
III-nitride/diamond heterojunction
III-氮化物/金刚石异质结
- DOI:
- 发表时间:2018
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Imura; M. Y. Liao;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
Effect of off-cut angle of hydrogen-terminated diamond(111) substrate on the quality of AlN towards high-density AlN/diamond(111) interface hole channel
氢封端金刚石(111)衬底偏角对高密度AlN/金刚石(111)界面孔道AlN质量的影响
- DOI:10.1063/1.4972979
- 发表时间:2017
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masataka Imura; Ryan G. Banal; Meiyong Liao; Jiangwei Liu; Takashi Aizawa; Akihiro Tanaka; Hideo Iwai; Takaaki Mano;Yasuo Koide
- 通讯作者:Yasuo Koide
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- 影响因子:2.3
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- 影响因子:1.5
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10.1016/j.mtphys.2023.101006 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:11.5
- 作者:
Takayanagi Makoto;Tsuchiya Takashi;Nishioka Daiki;Imura Masataka;Koide Yasuo;Higuchi Tohru;Terabe Kazuya - 通讯作者:
Terabe Kazuya
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10.1016/j.carbon.2017.08.069 - 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:10.9
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Wu Haihua;Sang Liwen;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Wu Kongping;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Liao Meiyong - 通讯作者:
Liao Meiyong
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