Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation
具有高电流运行功能的节能常关 p 沟道金刚石 FET
基本信息
- 批准号:25420349
- 负责人:
- 金额:$ 3.33万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Diamond field effect transistors with a high-dielectric constant Ta2O5 as gate material
高介电常数Ta2O5作为栅极材料的金刚石场效应晶体管
- DOI:10.1088/0022-3727/47/24/245102
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. W. Liu; M. Y. Liao; M. Imura; E. Watanabe; H. Oosato;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
Interfacial band configuration and electrical properties of LaAlO3/Al2O3/hydrogenated-diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors
LaAlO3/Al2O3/氢化金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管的界面能带结构和电性能
- DOI:10.1063/1.4819108
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:J. W. Liu; M. Y. Liao; M. Imura; H. Oosato; E. Watanabe; A. Tanaka; H. Iwai;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
Low-temperature AlN Buffer Layer Technique to Eliminate the Small-angle Grain Boundary in AlN Grown on Sapphire Substrate
消除蓝宝石衬底上AlN小角晶界的低温AlN缓冲层技术
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:R. G. Banal; M. Imura;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発
利用氮化物半导体界面控制和纳米层压独特结构开发电子器件
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:小出康夫;井村将隆;劉江偉;M.Y.Liao
- 通讯作者:M.Y.Liao
Recent progress of field effect transistors by AlN/Diamond Heterostructure
AlN/金刚石异质结构场效应晶体管研究进展
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Imura; J. W. Liu; M. Y. Liao;Y. Koide
- 通讯作者:Y. Koide
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Imura Masataka其他文献
Quantum oscillations in diamond field-effect transistors with a h-BN gate dielectric
具有 h-BN 栅极电介质的金刚石场效应晶体管中的量子振荡
- DOI:
10.1103/physrevmaterials.3.121601 - 发表时间:
2019 - 期刊:
- 影响因子:3.4
- 作者:
Sasama Yosuke;Komatsu Katsuyoshi;Moriyama Satoshi;Imura Masataka;Sugiura Shiori;Terashima Taichi;Uji Shinya;Watanabe Kenji;Taniguchi Takashi;Uchihashi Takashi;Takahide Yamaguchi - 通讯作者:
Takahide Yamaguchi
Thermal mismatch induced stress characterization by dynamic resonance based on diamond MEMS
基于金刚石 MEMS 的动态谐振热失配引起的应力表征
- DOI:
10.35848/1882-0786/abe7b0 - 发表时间:
2021 - 期刊:
- 影响因子:2.3
- 作者:
Sun Huanying;Shen Xiulin;Sang Liwen;Imura Masataka;Koide Yasuo;You Jianqiang;Li Tie;Koizumi Satoshi;Liao Meiyong - 通讯作者:
Liao Meiyong
Annealing effects on Cu(In,Ga)Se2 solar cells irradiated by high-fluence proton beam
高通量质子束辐照对 Cu(In,Ga)Se2 太阳能电池的退火效应
- DOI:
10.35848/1347-4065/acc53b - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:1.5
- 作者:
Nishinaga Jiro;Togawa Manabu;Miyahara Masaya;Itabashi Kosuke;Okumura Hironori;Imura Masataka;Kamikawa Yukiko;Ishizuka Shogo - 通讯作者:
Ishizuka Shogo
Accelerated/decelerated dynamics of the electric double layer at hydrogen-terminated diamond/Li+ solid electrolyte interface
氢封端金刚石/锂固体电解质界面双电层的加速/减速动力学
- DOI:
10.1016/j.mtphys.2023.101006 - 发表时间:
2023 - 期刊:
- 影响因子:11.5
- 作者:
Takayanagi Makoto;Tsuchiya Takashi;Nishioka Daiki;Imura Masataka;Koide Yasuo;Higuchi Tohru;Terabe Kazuya - 通讯作者:
Terabe Kazuya
Reducing energy dissipation and surface effect of diamond nanoelectromechanical resonators by annealing in oxygen ambient
通过氧气环境退火减少金刚石纳米机电谐振器的能量耗散和表面效应
- DOI:
10.1016/j.carbon.2017.08.069 - 发表时间:
2017 - 期刊:
- 影响因子:10.9
- 作者:
Wu Haihua;Sang Liwen;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Wu Kongping;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Liao Meiyong - 通讯作者:
Liao Meiyong
Imura Masataka的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
{{ truncateString('Imura Masataka', 18)}}的其他基金
Smark Chokers: Development of Wearable Monitoring System from Neck
Smark Chokers:开发颈部可穿戴监测系统
- 批准号:
16K00290 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Investigation of Ferroelectric Property Based on Nitride/Oxide Stack Structure and Its Application for Diamond FET
基于氮化物/氧化物叠层结构的铁电性能研究及其在金刚石FET中的应用
- 批准号:
16K06330 - 财政年份:2016
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
SiC MOSFETにおけるチャネル内キャリア散乱機構の解明
阐明 SiC MOSFET 中沟道内载流子散射机制
- 批准号:
20J23407 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
SiC MOSFETの高移動度動作を可能にする革新的な酸化膜の低温形成技術の開発
开发出可实现SiC MOSFET高迁移率运行的创新低温氧化膜形成技术
- 批准号:
20J15538 - 财政年份:2020
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
High-frequency and low power-consumption GaN monolithic complementary power integrated circuits
高频低功耗GaN单片互补功率集成电路
- 批准号:
18K14141 - 财政年份:2018
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
高性能SiC MOSFETの実現に向けた界面物性及びキャリア散乱機構の基礎研究
实现高性能SiC MOSFET的界面特性和载流子散射机制的基础研究
- 批准号:
15J04823 - 财政年份:2015
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Electron-spin-resonance study on SiC-MOSFETs and their MOS interface defects related to channel-mobility degradation
SiC-MOSFET 及其与沟道迁移率下降相关的 MOS 界面缺陷的电子自旋共振研究
- 批准号:
25286054 - 财政年份:2013
- 资助金额:
$ 3.33万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)