Energy Saving Normally-off p-Channel Diamond FET with High-Current Operation

具有高电流运行功能的节能常关 p 沟道金刚石 FET

基本信息

  • 批准号:
    25420349
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3.33万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Diamond field effect transistors with a high-dielectric constant Ta2O5 as gate material
高介电常数Ta2O5作为栅极材料的金刚石场效应晶体管
  • DOI:
    10.1088/0022-3727/47/24/245102
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. W. Liu; M. Y. Liao; M. Imura; E. Watanabe; H. Oosato;Y. Koide
  • 通讯作者:
    Y. Koide
Interfacial band configuration and electrical properties of LaAlO3/Al2O3/hydrogenated-diamond metal-oxide-semiconductor field effect transistors
LaAlO3/Al2O3/氢化金刚石金属氧化物半导体场效应晶体管的界面能带结构和电性能
  • DOI:
    10.1063/1.4819108
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    J. W. Liu; M. Y. Liao; M. Imura; H. Oosato; E. Watanabe; A. Tanaka; H. Iwai;Y. Koide
  • 通讯作者:
    Y. Koide
Low-temperature AlN Buffer Layer Technique to Eliminate the Small-angle Grain Boundary in AlN Grown on Sapphire Substrate
消除蓝宝石衬底上AlN小角晶界的低温AlN缓冲层技术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. G. Banal; M. Imura;Y. Koide
  • 通讯作者:
    Y. Koide
窒化物半導体の界面制御とナノラミネート特異構造を用いた電子デバイスの開発
利用氮化物半导体界面控制和纳米层压独特结构开发电子器件
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    小出康夫;井村将隆;劉江偉;M.Y.Liao
  • 通讯作者:
    M.Y.Liao
Recent progress of field effect transistors by AlN/Diamond Heterostructure
AlN/金刚石异质结构场效应晶体管研究进展
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    M. Imura; J. W. Liu; M. Y. Liao;Y. Koide
  • 通讯作者:
    Y. Koide
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    Ishizuka Shogo
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    Takayanagi Makoto;Tsuchiya Takashi;Nishioka Daiki;Imura Masataka;Koide Yasuo;Higuchi Tohru;Terabe Kazuya
  • 通讯作者:
    Terabe Kazuya
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  • 作者:
    Wu Haihua;Sang Liwen;Teraji Tokuyuki;Li Tiefu;Wu Kongping;Imura Masataka;You Jianqiang;Koide Yasuo;Liao Meiyong
  • 通讯作者:
    Liao Meiyong

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  • 资助金额:
    $ 3.33万
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