High-frequency and low power-consumption GaN monolithic complementary power integrated circuits

高频低功耗GaN单片互补功率集成电路

• 批准号: 18K14141
• 负责人: SANG Liwen
• 金额: $ 2.66万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
• 财政年份: 2018
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2018-04-01 至 2020-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-18K14141/
• 关键词: 窒化物半導体; 電界効果トランジスタ; 窒化物; MOSFET; 集積回路

项目成果

Investigation on the trap states at p-GaN MO(I)S interface with different gate dielectric layers

不同栅介质层p-GaN MO(I)S界面陷阱态研究

• 发表时间: 2018
• 作者: Liwen Sang

Boosting the doping efficiency of Mg in p-GaN grown on the free-standing GaN substrates

提高独立式 GaN 衬底上生长的 p-GaN 中 Mg 的掺杂效率

• DOI: 10.1063/1.5124904
• 发表时间: 2019
• 影响因子: 4
• 作者: Sang Liwen;Ren Bing;Endo Raimu;Masuda Takuya;Yasufuku Hideyuki;Liao Meiyong;Nabatame Toshihide;Sumiya Masatomo;Koide Yasuo
• 通讯作者: Koide Yasuo

Suppression in the electrical hysteresis by using CaF2 dielectric layer for p-GaN MIS capacitors

使用 CaF2 介电层抑制 p-GaN MIS 电容器的电滞现象

• DOI: 10.1063/1.5010952
• 发表时间: 2018
• 影响因子: 3.2
• 作者: Sang Liwen;Ren Bing;Liao Meiyong;Koide Yasuo;Sumiya Masatomo
• 通讯作者: Sumiya Masatomo

Investigation on the trap states at p-GaN MO(I)S interface with different gate dielectric layers

不同栅介质层p-GaN MO(I)S界面陷阱态研究

• 发表时间: 2018
• 作者: Liwen Sang

Single-crystal diamond microelectromechanical resonator integrated with a magneto-strictive galfenol film for magnetic sensing

集成磁致伸缩加酚薄膜的单晶金刚石微机电谐振器用于磁传感

• DOI: 10.1016/j.carbon.2019.06.072
• 发表时间: 2019-11-01
• 期刊: Carbon
• 影响因子: 10.9
• 作者: Zilong Zhang;Haihua Wu;L. Sang;Jian Huang;Y. Takahashi;Linjun Wang;M. Imura;S. Koizumi;Y. Koide;M. Liao
• 通讯作者: M. Liao