Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs by Hydrogen Containing Aluminum Oxide Thin Film

采用含氢氧化铝薄膜的氢封端金刚石 MOSFET

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ダイヤモンドの水素終端2DHG表面の欠陥評価
金刚石氢封端2DHG表面的缺陷评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤井 茉美
  • 通讯作者:
    藤井 茉美
ダイヤモンドの水素終端2DHG表面の欠陥評価
金刚石氢封端2DHG表面的缺陷评估
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    藤井 茉美
  • 通讯作者:
    藤井 茉美
Local atomic structure analysis of Al2O3/Diamond Interface by photoelectron holography
光电子全息法分析 Al2O3/金刚石界面的局域原子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Masaki Tanaka; M. N. Fujii; Y. Hashimoto; M. Uenuma; S. Koga; S. Takeuchi; Z. Sun; T. Tsuno; D. Yoshii; Y. Uraoka;T. Matsushita
  • 通讯作者:
    T. Matsushita
C-AFMとEBSDによる水素終端多結晶ダイヤモンド表面の局所電気的分析
利用 C-AFM 和 EBSD 对氢封端多晶金刚石表面进行局部电学分析
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉井大陸;藤井茉美;唐木裕馬;作場宥斗;石河泰明;浦岡行治
  • 通讯作者:
    浦岡行治
ダイヤモンド半導体電界効果トランジスタの特性予測モデルの構築
金刚石半导体场效应晶体管特性预测模型的构建
  • DOI:
  • 发表时间:
    2020
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    西部愛里紗; 蜂谷涼太; 藤井茉美; 沓掛健太朗; 宇治原徹; 浦岡行治
  • 通讯作者:
    浦岡行治
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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{{ showInfoDetail.title }}

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