Hydrogen Terminated Diamond MOSFETs by Hydrogen Containing Aluminum Oxide Thin Film
采用含氢氧化铝薄膜的氢封端金刚石 MOSFET
基本信息
- 批准号:18K13804
- 负责人:
- 金额:$ 2.66万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份:2018
- 资助国家:日本
- 起止时间:2018-04-01 至 2022-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(12)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Local atomic structure analysis of Al2O3/Diamond Interface by photoelectron holography
光电子全息法分析 Al2O3/金刚石界面的局域原子结构
- DOI:
- 发表时间:2021
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Masaki Tanaka; M. N. Fujii; Y. Hashimoto; M. Uenuma; S. Koga; S. Takeuchi; Z. Sun; T. Tsuno; D. Yoshii; Y. Uraoka;T. Matsushita
- 通讯作者:T. Matsushita
C-AFMとEBSDによる水素終端多結晶ダイヤモンド表面の局所電気的分析
利用 C-AFM 和 EBSD 对氢封端多晶金刚石表面进行局部电学分析
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:吉井大陸;藤井茉美;唐木裕馬;作場宥斗;石河泰明;浦岡行治
- 通讯作者:浦岡行治
ダイヤモンド半導体電界効果トランジスタの特性予測モデルの構築
金刚石半导体场效应晶体管特性预测模型的构建
- DOI:
- 发表时间:2020
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:西部愛里紗; 蜂谷涼太; 藤井茉美; 沓掛健太朗; 宇治原徹; 浦岡行治
- 通讯作者:浦岡行治
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者:
{{ item.author }}
数据更新时间:{{ patent.updateTime }}
Fujii Mami其他文献
Fujii Mami的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI:
{{ item.doi }} - 发表时间:
{{ item.publish_year }} - 期刊:
- 影响因子:{{ item.factor }}
- 作者:
{{ item.authors }} - 通讯作者:
{{ item.author }}
相似国自然基金
聚谷氨酸基润滑微界面辅助制备脱细胞软骨微粒基生物墨水用于软骨再生
- 批准号:52373146
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
MOF基异质分级微纳结构的集成组装、界面调控与电化学传感性能
- 批准号:22371165
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
热响应门控耦合海水光热界面蒸发机制及动态热质输运调控研究
- 批准号:52306106
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
考虑温度效应的钙质砂−土工格栅界面宏细观力学特性研究
- 批准号:52301327
- 批准年份:2023
- 资助金额:30 万元
- 项目类别:青年科学基金项目
阳-非离子药剂协同强化铁矿石反浮选过程的界面作用调控机制
- 批准号:52374261
- 批准年份:2023
- 资助金额:50 万元
- 项目类别:面上项目
相似海外基金
パワーデバイス応用に向けたGaNの点欠陥制御および絶縁膜界面制御の第一原理計算
功率器件应用中GaN点缺陷控制和绝缘膜界面控制的第一性原理计算
- 批准号:
24K08270 - 财政年份:2024
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
強誘電体の電極界面付近の分極反転に伴う欠陥形成とその制御法
铁电材料电极界面附近极化反转缺陷的形成及其控制方法
- 批准号:
22K04237 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
酸素欠陥サイトを足場とする異種アニオン導入による新規固体触媒の創成
使用氧空位作为支架引入不同类型的阴离子来创建新型固体催化剂
- 批准号:
22K18914 - 财政年份:2022
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
Elucidation of SiC-MOS interfaces by developing electronic structure calculation methods
通过开发电子结构计算方法阐明 SiC-MOS 界面
- 批准号:
21H04553 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
超音波誘起格子欠陥の成因解明と制御
超声波引起的晶格缺陷的阐明和控制
- 批准号:
21H01666 - 财政年份:2021
- 资助金额:
$ 2.66万 - 项目类别:
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)