Application of ion beam induced chemical vapor deposition for SiC film formation

离子束诱导化学气相沉积在SiC薄膜形成中的应用

基本信息

  • 批准号:
    25287154
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 6.49万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
ゼオライトへの低エネルギーインジウムイオン照射と触媒効果
低能铟离子辐照及其对沸石的催化作用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    吉村智; 木内正人; 西本能弘; 安田誠; 馬場章夫; 浜口智志
  • 通讯作者:
    浜口智志
Surface modification of poly(methyl methacrylate) by hydrogen-plasma exposure and its sputtering characteristics by ultraviolet light irradiation
氢等离子体曝光聚甲基丙烯酸甲酯表面改性及其紫外光照射溅射特性
  • DOI:
    10.7567/jjap.52.090201
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    S. Yoshimura; K. Ikuse; S. Sugimoto; K. Murai; K. Honjo; M. Kiuchi; S. Hamaguchi
  • 通讯作者:
    S. Hamaguchi
Computed multiple tomography for translated field reversed configuration plasma
平移场反向构型等离子体的计算机多重断层扫描
  • DOI:
    10.1109/tps.2014.2321399
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Yoshimura; S. Sugimoto; S. Okada
  • 通讯作者:
    S. Okada
Low energy indium or gallium iom beam injection to SiO2 thin films for development of novel catalysts
将低能铟或镓离子束注入 SiO2 薄膜以开发新型催化剂
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    S. Yoshimura; M. Kiuchi; Y. Nishimoto; M. Yasuda; A. Baba; S. Hamaguchi
  • 通讯作者:
    S. Hamaguchi
Low Energy Indium or Gallium Ion Implantations to SiO2 Thin Films for Development of Novel Catalysts
低能铟或镓离子注入 SiO<sub>2 </sub>薄膜用于新型催化剂的开发
  • DOI:
    10.1380/ejssnt.2014.197
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.7
  • 作者:
    S. Yoshimura; M. Kiuchi; Y. Nishimoto; M. Yasuda; A. Baba; S. Hamaguchi
  • 通讯作者:
    S. Hamaguchi
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Observation of clear magnetization and polarization reversal by local electric field in BiFeO3-based multiferroic thin film with using metallic MFM tip with optimized magnetization
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshimura Satoru;Egawa Genta
  • 通讯作者:
    Egawa Genta
Deposition of Indium Nanoparticles on Powdered Material by Pulse Arc Plasma to Synthesize Catalysts for Friedel-Crafts Alkylation
脉冲电弧等离子体在粉末材料上沉积铟纳米颗粒合成傅克烷基化催化剂
  • DOI:
    10.1380/ejssnt.2018.105
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0.7
  • 作者:
    Yoshimura Satoru;Nishimoto Yoshihiro;Sugimoto Satoshi;Kiuchi Masato;Yasuda Makoto
  • 通讯作者:
    Yasuda Makoto
High temperature exchange bias effect in melt-spun Mn(55)Bi(45)alloys
熔纺Mn(55)Bi(45)合金的高温交换偏置效应
  • DOI:
    10.1063/1.4962950
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    2016
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Song Yiming;Xiang Zhen;Wang Taolei;Niu Junchao;Xia Kada;Lu Wei;Zhang Hong;Cao Yongze;Yoshimura Satoru;Saito Hitoshi
  • 通讯作者:
    Saito Hitoshi
Effects of injected ion energy on silicon carbide film formation by low-energy SiCH3+ beam irradiation
注入离子能量对低能SiCH3束辐照形成碳化硅薄膜的影响
  • DOI:
    10.1016/j.tsf.2019.06.057
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    Yoshimura Satoru;Sugimoto Satoshi;Takeuchi Takae;Murai Kensuke;Kiuchi Masato
  • 通讯作者:
    Kiuchi Masato
Low-energy mass-selected ion beam production of fragments from tetraethylorthosilicate for the formation of silicon dioxide film
低能质量选择离子束生产原硅酸四乙酯碎片以形成二氧化硅薄膜
  • DOI:
    10.1016/j.tsf.2018.04.003
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    2.1
  • 作者:
    Yoshimura Satoru;Sugimoto Satoshi;Takeuchi Takae;Murai Kensuke;Kiuchi Masato
  • 通讯作者:
    Kiuchi Masato

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    2017
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    $ 6.49万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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    2017
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    $ 6.49万
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

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  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 6.49万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
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    2010
  • 资助金额:
    $ 6.49万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
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利用自组装现象的三维纳米结构制造技术
  • 批准号:
    21360059
  • 财政年份:
    2009
  • 资助金额:
    $ 6.49万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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聚焦离子束三维生物纳米工具的制备与评价
  • 批准号:
    20310068
  • 财政年份:
    2008
  • 资助金额:
    $ 6.49万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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知道了