Sensitive optical sensors using amorphous oxide semiconductors

使用非晶氧化物半导体的灵敏光学传感器

基本信息

批准号：
21K18814
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$ 4.08万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
财政年份：
2021
资助国家：
日本
起止时间：
2021-07-09 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

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专利数量（0）

Low Residual Carrier Density and High In-Grain Mobility in Polycrystalline Zn3N2 Films on a Glass Substrate

玻璃基板上多晶 Zn3N2 薄膜的低残余载流子密度和高晶粒迁移率

DOI：
10.1021/acsaelm.2c00181
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4.7
作者：
Kaiwen Li; Atsushi Shimizu; Xinyi He; Keisuke Ide*; Kota Hanzawa; Kosuke Matsuzaki; Takayoshi Katase; Hidenori Hiramatsu; Hideo Hosono; Qun Zhang*;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

Electronic Structures and Defects Analysis of Amorphous Oxide Semiconductor toward IGZO Display Application

非晶氧化物半导体IGZO显示应用的电子结构和缺陷分析

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ide
通讯作者：
Keisuke Ide

ZnO中の水素複合欠陥

ZnO 中的氢络合物缺陷

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
HeXinyi;片瀬貴義;井手啓介;細野秀雄;神谷利夫
通讯作者：
神谷利夫

Fabrication of Zn3N2 electric double layer transistor by ionic liquid gating

离子液体门控制备Zn3N2双电层晶体管

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kaiwen Li; Kota Hanzawa; Keisuke Ide; Kosuke Matsuzaki; Takayoshi Katase; Hidenori Hiramatsu; Hideo Hosono; Qun Zhang; Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

神谷研究室

神谷研究所

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
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作者：
通讯作者：

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Ide Keisuke其他文献

Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes

用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

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用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Multiple states and roles of hydrogen in p-type SnS semiconductors

p型SnS半导体中氢的多种状态和作用

DOI：
10.1039/c8cp02261e
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.3
作者：
Xiao Zewen;Ran Fan;Liao Min;Hiramatsu Hidenori;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Local Structure Properties of Hydrogenated and Nonhydrogenated Amorphous In?Ga?Zn?O Thin Films Using XAFS and High-Energy XRD

XAFS 和高能 XRD 氢化和非氢化非晶 InGaZnO 薄膜的局部结构特性

DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c02437
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ishikawa Kyohei;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;Sakata Osami
通讯作者：
Sakata Osami

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用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio