Light emitting diode using rare earth-doped amorphous oxide semiconductors on a glass substrate

在玻璃基板上使用稀土掺杂非晶氧化物半导体的发光二极管

基本信息

批准号：
20H02433
负责人：
Ide Keisuke
金额：
$ 11.73万
依托单位：
Tokyo Institute of Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2020
资助国家：
日本
起止时间：
2020-04-01 至 2023-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-20H02433/
关键词：
アモルファス酸化物半導体蛍光体発光ダイオード

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（25）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

アモルファス 12CaO・7Al2O3 を用いた ReRAM

使用非晶态 12CaO・7Al2O3 的 ReRAM

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
門野太助;井手啓介;片瀬貴義;平松秀典;細野秀雄;神谷利夫
通讯作者：
神谷利夫

Electronic Structures and Defects Analysis of Amorphous Oxide Semiconductor toward IGZO Display Application

非晶氧化物半导体IGZO显示应用的电子结构和缺陷分析

DOI：
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
0
作者：
Keisuke Ide
通讯作者：
Keisuke Ide

Fudan University(中国)

复旦大学（中国）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes

用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Double charge polarity switching in Sb-doped SnSe with switchable substitution sites

具有可切换取代位点的 Sb 掺杂 SnSe 中的双电荷极性切换

DOI：
10.1002/adfm.202008092
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Chihiro Yamamoto; Xinyi He; Takayoshi Katase; Keisuke Ide; Yosuke Goto; Yoshikazu Mizuguchi; Akane Samizo; Makoto Minohara; Shigenori Ueda; Hidenori Hiramatsu; Hideo Hosono;Toshio Kamiya
通讯作者：
Toshio Kamiya

DOI：
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作者：
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Low-temperature-processable amorphous-oxide-semiconductor-based phosphors for durable light-emitting diodes

用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

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用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Multiple states and roles of hydrogen in p-type SnS semiconductors

p型SnS半导体中氢的多种状态和作用

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10.1039/c8cp02261e
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
3.3
作者：
Xiao Zewen;Ran Fan;Liao Min;Hiramatsu Hidenori;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio

Local Structure Properties of Hydrogenated and Nonhydrogenated Amorphous In?Ga?Zn?O Thin Films Using XAFS and High-Energy XRD

XAFS 和高能 XRD 氢化和非氢化非晶 InGaZnO 薄膜的局部结构特性

DOI：
10.1021/acs.jpcc.1c02437
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Kumara Loku Singgappulige Rosantha;Ishikawa Kyohei;Ide Keisuke;Hosono Hideo;Kamiya Toshio;Sakata Osami
通讯作者：
Sakata Osami

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用于耐用发光二极管的低温可加工非晶氧化物半导体荧光粉

DOI：
10.1063/5.0115384
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
4
作者：
Ide Keisuke;Watanabe Naoto;Katase Takayoshi;Sasase Masato;Kim Junghwan;Ueda Shigenori;Horiba Koji;Kumigashira Hiroshi;Hiramatsu Hidenori;Hosono Hideo;Kamiya Toshio
通讯作者：
Kamiya Toshio