Realization of n-type AlN by clarifying the mechanism of point defect formation in bulk AlN crystal

通过阐明块状 AlN 晶体中点缺陷形成的机制实现 n 型 AlN

基本信息

批准号：
15H03555
负责人：
Kumagai Yoshinao
金额：
$ 10.98万
依托单位：
Tokyo University of Agriculture and Technology
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2015
资助国家：
日本
起止时间：
2015-04-01 至 2018-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Linkoping University(Sweden)

林雪平大学（瑞典）

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

高温AlN-HVPEにおける系内酸素がSiドープ量に与える影響

体系中氧对高温AlN-HVPE中Si掺杂量的影响

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
小西敬太;山本玲緒;富樫理恵;永島徹;木下亨;Rafael Dalmau;Raoul Schlesser;村上尚;Ramon Collazo;Bo Monemar;Zlatko Sitar;熊谷義直
通讯作者：
熊谷義直

Development of bulk AlN substrates for deep-UV optoelectronic devices by HVPE method

HVPE法开发深紫外光电子器件用块状AlN衬底

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshinao Kumagai; Rie Togashi; Toru Nagashima; Toru Kinoshita; Reo Yamamoto; Rafael Dalmau; Raoul Schlesser; Hisashi Murakami; Ramon Collazo; Akinori Koukitu; Bo Monemar;Zlatko Sitar
通讯作者：
Zlatko Sitar

Characterization of threading dislocations in HVPE-grown AlN substrates by wet chemical etching

通过湿化学蚀刻表征 HVPE 生长的 AlN 衬底中的螺纹位错

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taro Mitsui; Mari Higuchi; Toru Nagashima; Toru Kinoshita; Reo Yamamoto; Galia Pozina; Rafael Dalmau; Raoul Schlesser; Ramon Collazo; Bo Monemar; Zlatko Sitar;Yoshinao Kumagai
通讯作者：
Yoshinao Kumagai

Wet chemical etching of MOVPE-AlN templates for evaluation of threading dislocations

MOVPE-AlN 模板的湿法化学蚀刻用于评估螺纹位错

DOI：
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
0
作者：
Taro Mitsui; Mari Higuchi; Toru Nagashima; Toru Kinoshita; Reo Yamamoto; Bo Monemar;Yoshinao Kumagai
通讯作者：
Yoshinao Kumagai

DOI：
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作者：
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Kumagai Yoshinao其他文献

Growth of Highly Crystalline GaN at High Growth Rate by Trihalide Vapor‐Phase Epitaxy

通过三卤化物气相外延以高生长速率生长高结晶 GaN

DOI：
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发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yamaguchi Akira;Oozeki Daisuke;Kawamoto Naoya;Takekawa Nao;Bulsara Mayank;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Matsumoto Koh;Koukitu Akinori
通讯作者：
Koukitu Akinori

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发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
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作者：
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通讯作者：
Katayama Ryuji

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DOI：
10.35848/1347-4065/acc18e
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Nishikawa Tomoka;Goto Ken;Murakami Hisashi;Kumagai Yoshinao;Uemukai Masahiro;Tanikawa Tomoyuki;Katayama Ryuji
通讯作者：
Katayama Ryuji

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2023
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto
通讯作者：
Nakajima Makoto

Characterization of electrical properties of β-Ga2O3 epilayer and bulk GaAs using terahertz time-domain ellipsometry

使用太赫兹时域椭圆光度法表征 β-Ga2O3 外延层和体 GaAs 的电性能

DOI：
10.35848/1347-4065/acbc84
发表时间：
2023
期刊：
影响因子：
1.5
作者：
Iwamoto Toshiyuki;Agulto Verdad C.;Liu Shuang;Wang Youwei;Mag;Fujii Takashi;Goto Ken;Kumagai Yoshinao;Nakajima Makoto
通讯作者：
Nakajima Makoto