Single Event Burnout Mechanisms in SiC devices

SiC 器件中的单粒子烧毁机制

基本信息

  • 批准号:
    25790076
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 2.83万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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Ion-Induced Anomalous Charge Collection Mechanisms in SiC Schottky Barrier Diodes
SiC 肖特基势垒二极管中离子诱导的反常电荷收集机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Takahiro Makino; Manato Deki; Shinobu Onoda; Norihiro Hoshino; Hidekazu Tsuchida;Takeshi Ohshima
  • 通讯作者:
    Takeshi Ohshima
Heavy-Ion Induced Anomalous Charge Collection From 4H-SiC Schottky Barrier Diodes
4H-SiC 肖特基势垒二极管的重离子感应反常电荷收集
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.8
  • 作者:
    Takahiro Makino; Manato Deki; Naoya Iwamoto; Shinobu Onoda; Norihiro Hoshino; Hidekazu Tsuchida; Toshio Hirao;Takeshi Ohshima
  • 通讯作者:
    Takeshi Ohshima
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Intervertebral disc regeneration with an adipose mesenchymal stem cell-derived tissue-engineered construct in a rat nucleotomy model
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    10.1016/j.actbio.2019.01.050
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    9.7
  • 作者:
    Ishiguro Hiroyuki;Kaito Takashi;Yarimitsu Seido;Hashimoto Kunihiko;Okada Rintaro;Kushioka Junichi;Chijimatsu Ryota;Takenaka Shota;Makino Takahiro;Sakai Yusuke;Moriguchi Yu;Otsuru Satoru;Hart David A.;Fujie Hiromichi;Nakamura Norimasa;Yoshikawa Hideki
  • 通讯作者:
    Yoshikawa Hideki
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  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kushioka Junichi;Kaito Takashi;Chijimatsu Ryota;Okada Rintaro;Ishiguro Hiroyuki;Bal Zeynep;Kodama Joe;Takenaka Shota;Makino Takahiro;Sakai Yusuke;Yoshikawa Hideki
  • 通讯作者:
    Yoshikawa Hideki
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  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kaito Takashi;Morimoto Tokimitsu;Mori Yuki;Kanayama Sadaaki;Makino Takahiro;Takenaka Shota;Sakai Yusuke;Otsuru Satoru;Yoshioka Yoshichika;Yoshikawa Hideki
  • 通讯作者:
    Yoshikawa Hideki
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations
同时光电激发下 SiC 硅空位的载流子动力学
  • DOI:
    10.1063/5.0028318
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Yamazaki Yuichi;Chiba Yoji;Sato Shin;Makino Takahiro;Yamada Naoto;Satoh Takahiro;Kojima Kazutoshi;Hijikata Yasuto;Tsuchida Hidekazu;Hoshino Norihiro;Lee Sang;Ohshima Takeshi
  • 通讯作者:
    Ohshima Takeshi
Carrier dynamics of silicon vacancies of SiC under simultaneous optically and electrically excitations
同时光电激发下 SiC 硅空位的载流子动力学
  • DOI:
    10.1063/5.0028318
  • 发表时间:
    2021
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4
  • 作者:
    Yamazaki Yuichi;Chiba Yoji;Sato Shin;Makino Takahiro;Yamada Naoto;Satoh Takahiro;Kojima Kazutoshi;Hijikata Yasuto;Tsuchida Hidekazu;Hoshino Norihiro;Lee Sang;Ohshima Takeshi
  • 通讯作者:
    Ohshima Takeshi

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  • 通讯作者:
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  • 财政年份:
    2023
  • 资助金额:
    $ 2.83万
  • 项目类别:
    EU-Funded
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