Homoepitaxial growth of hexagonal boron nitride on high quality HPHT substrates
在高质量 HPHT 衬底上同质外延生长六方氮化硼
基本信息
- 批准号：17H02748
- 负责人：
- 金额：$ 11.81万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份：2017
- 资助国家：日本
- 起止时间：2017-04-01 至 2020-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Observation of impurity incorporated domain in h-BN single crystals
h-BN单晶中杂质掺入域的观察
- DOI：
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渡邊賢司;谷口尚
- 通讯作者：谷口尚
Deep UV photoluminescence microscopysystem for exploring luminous properties of hexagonal boron nitride crystals
用于探索六方氮化硼晶体发光特性的深紫外光致发光显微镜系统
- DOI：
- 发表时间：2018
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：渡邊賢司
- 通讯作者：渡邊賢司
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WATANABE Kenji其他文献
Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures
基于四层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点器件的制备与表征
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10.7567/1347-4065/ab65a8 - 发表时间：
2019 - 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：
Iwasaki Takuya;Kato Taku;Ito Hirohito;WATANABE Kenji;Taniguchi Takashi;Wakayama Yutaka;Hatano Tsuyoshi;Moriyama Satoshi - 通讯作者：
Moriyama Satoshi
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基于四层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点器件的制备与表征
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A crosstalk between RNA metabolic pathway and DNA damage response involved in the mechanism of cancer growth
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 11.81万 - 项目类别：
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- 批准号：
25810106 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 11.81万 - 项目类别：
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Growth of highly oriented h-BN single crystal by chemical vapor deposition method
化学气相沉积法生长高取向h-BN单晶
- 批准号：
23310096 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 11.81万 - 项目类别：
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- 批准号：
23570259 - 财政年份：2011
- 资助金额：
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- 批准号：
23591022 - 财政年份：2011
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Exciton effects for high purity nanostructured hexagonal boron nitride
高纯度纳米结构六方氮化硼的激子效应
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22651056 - 财政年份：2010
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Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Efficient analysis method for unreliable labeled data
不可靠标记数据的高效分析方法
- 批准号：
22700191 - 财政年份：2010
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相似国自然基金
Research on the Rapid Growth Mechanism of KDP Crystal
- 批准号：10774081
- 批准年份：2007
- 资助金额：45.0 万元
- 项目类别：面上项目
相似海外基金
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- 批准号：
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Standard Grant
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用于 BrainPET 扫描仪的超致密陶瓷闪烁体
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控制成核和晶体生长的单一实体方法
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$ 11.81万 - 项目类别：
Molecular mechanisms of oral deficiencies in Down syndrome
唐氏综合症口腔缺陷的分子机制
- 批准号：
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