Exciton effects for high purity nanostructured hexagonal boron nitride

高纯度纳米结构六方氮化硼的激子效应

• 批准号: 22651056
• 负责人: WATANABE Kenji
• 金额: $ 2.23万
• 依托单位: National Institute for Materials Science
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
• 财政年份: 2010
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2010 至 2011
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-22651056/
• 关键词: 六方晶窒化ホウ素; グラフェン; hBNナノシート; 構造評価; ラマン散乱分光法; エキシトン発光; 電子状態; ラマン散乱; 電子特性; 反射率測定; 層数評価

Excitonic luminescence of hexagonal boron nitride(hBN) single-crystal was studied, and found that the origin of the 220 nm band is different from that of the 215 nm self-trapped and the 227 nm bound exciton luminous bands BN mono-and bilayers can be prepared and identified on top of an oxidized Si wafer using a mechanical exfoliation technique and the use of thinner SiO_2 and/or narrow optical filters makes it possible to see even BN monolayers.By using hBN for the substrate of graphene, the electrical conduction properties of the graphene improved significantly, and its mobility reached almost one-order higher than that of the conventional SiO_2 substrate device.

对六方氮化硼（hBN）单晶的激子发光进行了研究，发现220 nm波段的来源与215 nm自陷阱不同，227 nm束缚激子发光波段BN单层和双层可以使用机械剥离技术在氧化硅晶片顶部进行制备和识别，并且使用更薄的 SiO_2 和/或窄滤光片使其成为可能通过使用hBN作为石墨烯衬底，石墨烯的导电性能显着提高，其迁移率比传统SiO_2衬底器件高出近一个数量级。

项目成果

機械的はく離法で作成した六方晶系窒化ホウ素(hBN)薄膜の評価

机械剥离法制备六方氮化硼（hBN）薄膜的评价

• 发表时间: 2011
• 作者: 日浦英文;谷口尚;渡邊賢司;塚越一仁
• 通讯作者: 塚越一仁

Exciton optical transitions in a hexagonal boron nitride single crystal

六方氮化硼单晶中的激子光学跃迁

• DOI: 10.1002/pssr.201105190
• 发表时间: 2011
• 作者: Luc Museur

Hexagonal Boron Nitride as a New Ultraviolet Luminescent Material and Its Application

新型紫外发光材料六方氮化硼及其应用

• 发表时间: 2011
• 影响因子: 2.1
• 作者: Kenji Watanabe;Takashi Taniguchi
• 通讯作者: Takashi Taniguchi

Luminescence Characteristics and Annealing Effect of Tb-Doped AlBNO Films for Inorganic Electroluminescence Devices

无机电致发光器件用掺Tb掺杂AlBNO薄膜的发光特性及退火效果

• DOI: 10.1143/jjap.50.04dh01
• 发表时间: 2011
• 影响因子: 1.5
• 作者: 升本恵子

六方晶窒化ホウ素単結晶の光学特性とその応用

六方氮化硼单晶的光学性质及其应用

• 发表时间: 2011
• 作者: 渡邊賢司