Development and Application of Bulk Sensitivity Controllable Atomic Structure Analysis Method by "Inverse Photoelectron Diffracion"

“逆光电子衍射”体灵敏度可控原子结构分析方法的开发与应用

基本信息

  • 批准号:
    25287075
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 12.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Lattice distortion of porous Si by Li absorption using two-dimensional photoelectron diffraction
使用二维光电子衍射研究 Li 吸收引起的多孔 Si 的晶格畸变
  • DOI:
    10.1007/s10853-013-7799-2
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    4.5
  • 作者:
    E. S. Nouh;S. N. Takeda;F. Matsui;K. Hattori;T. Sakata;N. Maejima;H. Matsui;H. Matuda;T. Matsushita. L. Toth;M. Morita;S. Kitagawa;R. Ishii;M. Fujita;K. Yasuda;H. Daimon
  • 通讯作者:
    H. Daimon
Atomic structure analysis of crystalline oxide film on ZrB2(0001) by two-dimensional circularly-polarized-light photoelectron diffraction
ZrB2(0001)晶体氧化膜二维圆偏振光电子衍射分析原子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    R. Horie;F. Matsui;N. Maejima;H. Matsui;T. Matsushita;S. Otani;T. Aizawa;H. Daimon
  • 通讯作者:
    H. Daimon
奈良先端大物質創成科学研究科グリーナノシステム研究室
奈良先端科学技术大学材料科学研究科绿色纳米系统实验室
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Circular dichroism in resonant Auger electron diffraction: Principle and Applications
共振俄歇电子衍射中的圆二色性:原理与应用
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fumihiko Matsui;Naoyuki Maejima;Hirosuke Matsui;Hiroaki Nishikawa;Hiroshi Daimon;Tomohiro Matsushita;Matthias Muntwiler;Roland Stania;Thomas Greber
  • 通讯作者:
    Thomas Greber
二次元光電子分光によるBaFe2As2の電子状態解析
二维光电子能谱分析 BaFe2As2 的电子态
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    滝沢優;橋本由介;辻川大地;深見駿;吉田泰輔;前島尚行;松田博之;北川哲;田口宗孝;松井文彦;大門寛;大串研也
  • 通讯作者:
    大串研也
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Fumihiko Matsui其他文献

Coherent J/ψ photoproduction in ultra-peripheral Pb-Pb collisions at √sNN = 2.76 TeV
√sNN = 2.76 TeV 超外围 Pb-Pb 碰撞中的相干 J/ψ 光产生
  • DOI:
    10.1016/j.physletb.2012.11.059
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hiroyuki Matsuda;Laszlo Toth;Kentaro Goto;Fumihiko Matsui;Tomohiro Matsushita^2;Mie Hashimoto;Chikako Sakai;Hideo Nojiri;Hiroshi Daimon;ALICE Collaboration (B. Abelev et al.)
  • 通讯作者:
    ALICE Collaboration (B. Abelev et al.)
硫酸カルシウム二水和物(石膏)の単結晶表面を用いるエナンチオ選択的不斉自己触媒反応(2)
使用二水硫酸钙(石膏)单晶表面的对映选择性不对称自催化反应 (2)
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Hirosuke Matsui;Fumihiko Matsui;Tomohiro Matsushita;Mie Hashimoto;Kentaro Goto;Naoyuki Maejima;Hiroshi Daimon;M.~Tabata;貝森功康
  • 通讯作者:
    貝森功康
Electronic structure of FeSe thin film fabricated on CaF2 substrate studied by high-resolution ARPES
利用高分辨率 ARPES 研究 CaF2 基底上 FeSe 薄膜的电子结构
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fumihiko Matsui;Takuya Ohta;Naoyuki Maejima;Hirosuke Matsui; Hiroaki Nishikawa;Hiroshi Daimon;Tomohiro Matsushita;Thomas Greber;Roland Stania;Rasmus Westerstrom;Matthias Muntwiler;Jun Zhang;雨宮健太,酒巻真粧子;G. N. Phan
  • 通讯作者:
    G. N. Phan
Compendium of Surface and Interface Analysis: Chapter 73 Photoelectron Holography
表面与界面分析纲要:第73章光电子全息术
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    F. Matsui;H. Ota;Y. Hashimoto;H. Daimon;T. Matsushita;M. Muntwiler;F. Matsui;Fumihiko Matsui and Tomohiro Matsushita;Fumihiko Matsui;Tomohiro Matsushita and Fumihiko Matsui
  • 通讯作者:
    Tomohiro Matsushita and Fumihiko Matsui
チンパンジーの個性と幸福.
黑猩猩的个性和幸福。
  • DOI:
  • 发表时间:
    2009
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Fumihiko Matsui;Tomohiro Matsushita;Hiroshi Daimon;上野千鶴子;平田聡
  • 通讯作者:
    平田聡

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{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

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“逆光电子衍射”体灵敏度可控原子结构分析方法的开发与应用(促进国际联合研究)
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    15KK0167
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Atomic layer resolved electronic structure analysis of compound semiconductor by photoelectron diffraction spectroscopy
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    $ 12.4万
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化合物半导体衬底异质外延生长动力学研究
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    $ 12.4万
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    X00095----865002
  • 财政年份:
    1973
  • 资助金额:
    $ 12.4万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for General Scientific Research (D)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

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