Theoretical calculation of the electronic structure of topological insulators
拓扑绝缘体电子结构的理论计算
基本信息
- 批准号：24540328
- 负责人：
- 金额：$ 2.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2012
- 资助国家：日本
- 起止时间：2012-04-01 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
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Novel topological insulator phase induced by proximity effects at the interface between a topological band insulator and a Mott insulator: A layer DMFT approach
拓扑带绝缘体和莫特绝缘体之间界面的邻近效应引起的新型拓扑绝缘体相位：层 DMFT 方法
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Ishida; A. Liebsch
- 通讯作者：A. Liebsch
Buried topological edge state associated with interface between topological band insulator and Mott insulator
与拓扑带绝缘体和莫特绝缘体之间的界面相关的掩埋拓扑边缘态
- DOI：10.1103/physrevb.90.205134
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：H. Ishida; A. Liebsch
- 通讯作者：A. Liebsch
Coulomb blockade and Kondo effect in the electronic structure of Hubbard molecules connected to metallic leads: A finite-temperature exact-diagonalization study
连接到金属引线的哈伯德分子电子结构中的库仑封锁和近藤效应：有限温度精确对角化研究
- DOI：10.1103/physrevb.86.205115
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：H. Ishida;A.Liebsch
- 通讯作者：A.Liebsch
Electronic structure of the 4x4 silicene monolayer on semi-infinite Ag(111)
半无限Ag(111)上4x4硅烯单层的电子结构
- DOI：10.1088/1367-2630/17/1/015013
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：3.3
- 作者：H. Ishida; Y. Hamamoto; Y. Morikawa; E. Minamitani; R. Arafune; N. Takagi
- 通讯作者：N. Takagi
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- 批准号：
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- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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- 批准号：
24685032 - 财政年份：2012
- 资助金额：
$ 2.5万 - 项目类别：
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