Establishment of Fundamental Engineering of Sn-related Group-IV Semiconductor Materials for Multi-Functional and Low-Power Electronics

多功能低功耗电子器件用锡相关IV族半导体材料基础工程的建立

• 批准号: 26220605
• 负责人: ZAIMA SHIGEAKI
• 金额: $ 115.32万
• 依托单位: Nagoya University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (S)
• 财政年份: 2014
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2014-05-30 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-26220605/
• 关键词: 半導体物性; 結晶工学; 表面・界面物性; ゲルマニウム錫; エネルギーバンド; 結晶成長; 集積回路; Ⅳ族半導体; IV族半導体

项目成果

A New Application of Ge1-xSnx: Thermoelectric Materials

Ge1-xSnx的新应用：热电材料

• DOI: 10.1149/08607.0321ecst
• 发表时间: 2018
• 作者: M. Kurosawa; Y. Imai; T. Iwahashi; K. Takahashi; M. Sakashita; O. Nakatsuka;S. Zaima
• 通讯作者: S. Zaima

Ge photodetector monolithically integrated with amorphous Si waveguide on wafer-bonded Ge-on-insulator substrate

与非晶硅波导单片集成在晶圆键合绝缘体上Ge衬底上的Ge光电探测器

• DOI: 10.1364/oe.26.030546
• 发表时间: 2018
• 影响因子: 3.8
• 作者: J. Kang; S. Takagi;M. Takenaka
• 通讯作者: M. Takenaka

Modulation of Fermi level pining position at metal/n-Ge interface by semimetal Ge1-xSnx and Sn interlayers

半金属Ge1-xSnx和Sn中间层对金属/n-Ge界面费米能级钉扎位置的调制

• DOI: 10.1016/j.mssp.2016.12.028
• 发表时间: 2017
• 作者: A. Suzukia; O. Nakatsuka; M. Sakashita;S. Zaima
• 通讯作者: S. Zaima

Density functional study for crystalline structures and electronic properties of Si1-xSnx binary alloys

Si1-xSnx二元合金晶体结构和电子性能的密度泛函研究

• DOI: 10.7567/jjap.55.08pe04
• 发表时间: 2016
• 作者: Y. Nagae; M. Kurosawa; S. Shibayama; M. Araidai; M. Sakashita; O. Nakatsuka; K. Shiraishi;S. Zaima
• 通讯作者: S. Zaima

Challenges and opportunities of near and mid-infrared photonics based on SiGe and Ge

基于SiGe和Ge的近红外和中红外光子学的挑战和机遇

• DOI: 10.1149/07508.0447ecst
• 发表时间: 2016
• 作者: M. Takenaka; Y. Kim; J. Han; J. Kang;S. Takagi
• 通讯作者: S. Takagi