Study on crystalline growth of phase transition oxides with various oxidation states and their electric transport characteristics

不同氧化态相变氧化物的晶体生长及其电输运特性研究

• 批准号: 23560013
• 负责人: OKIMURA Kunio
• 金额: $ 3.41万
• 依托单位: Tokai University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2011
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2011 至 2013
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560013/
• 关键词: 相転移酸化物; バナジウム酸化物; 絶縁体金属転移; マグネリ相; 結晶成長; 薄膜堆積; 相共存; アニール効果; 酸化バナジウム薄膜; 相転移; 電気的特性; 結晶変態; 国際情報交流; フランス; アメリカ

In this project, we studied vanadium dioxide (VO2) with insulator-metal transition (IMT) and related oxide phases which possess different oxidation states such as VnO2n-1 and VnO2n+1. By using mass flow controller which enabled fine control of oxygen partial pressure, we successfully fabricated crystalline V2O3 films on sapphire and silicon substrates. Obtained V2O3 films transformed to VnO2n-1 and VnO2n+1 phases by post-annealing in oxygen atmosphere with adequate temperature and time. Through the study, electrical transport characteristics of VnO2n-1 and VnO2n+1 were partially clarified and the significance of phase coexistence in vanadium oxide thin films was shown.

在这个项目中，我们研究了具有绝缘体-金属转变（IMT）的二氧化钒（VO2）以及具有不同氧化态的相关氧化物相，例如VnO2n-1和VnO2n+1。通过使用能够精细控制氧分压的质量流量控制器，我们成功地在蓝宝石和硅衬底上制备了晶体V2O3薄膜。在氧气气氛中进行适当温度和时间的后退火，得到V2O3薄膜，转变为VnO2n-1和VnO2n+1相。通过研究，部分阐明了VnO2n-1和VnO2n+1的电输运特性，并揭示了钒氧化物薄膜中相共存的意义。

项目成果

Pulsed laser-deposited VO_2 thin films on Pt layers

Pt 层上脉冲激光沉积 VO_2 薄膜

• 发表时间: 2013
• 作者: Joe Sakai; Mustapha Zaghrioui; Vinh Ta Phuoc; Sylvain Roger; Cecile Autret;Kunio Okimura
• 通讯作者: Kunio Okimura

Stress-induced VO2 films with M2 monoclinic phase stable at room temperature grown by inductively coupled plasma-assisted reactive sputtering

电感耦合等离子体辅助反应溅射生长室温下稳定的具有 M2 单斜晶相的应力诱导 VO2 薄膜

• DOI: 10.1063/1.3700210
• 发表时间: 2012
• 影响因子: 3.2
• 作者: Kunio Okimura; Tomo Watanabe;Joe Sakai
• 通讯作者: Joe Sakai

反応性スパッタ法によるVO2(B)薄膜の成長とアニールによるVO2(M1)への変態

通过反应溅射生长 VO2(B) 薄膜并通过退火转化为 VO2(M1)

• 发表时间: 2014
• 作者: ヌルーハニス アズハン; 蘇 魁; 沖村邦雄
• 通讯作者: 沖村邦雄

TiN導電バッファー層によるVO2薄膜の結晶成長及び転移特性の改善

TiN导电缓冲层改善VO2薄膜晶体生长和转变特性

• 发表时间: 2014
• 作者: モハメッド シュルズミヤ; 沖村邦雄
• 通讯作者: 沖村邦雄

c面サファイア基板上バナジウム酸化膜におけるマグネリ相を含む相共存モデル

c 面蓝宝石衬底上氧化钒膜中包含 Magnelli 相的相共存模型

• 发表时间: 2011
• 作者: 鈴木康史;沖村邦雄
• 通讯作者: 沖村邦雄