Study on low-voltage self-oscillation devices based on out-of-plane threshold switching in phase transition oxide thin films
基于相变氧化物薄膜面外阈值开关的低压自激振荡器件研究
基本信息
- 批准号：15K04652
- 负责人：
- 金额：$ 3.16万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2015
- 资助国家：日本
- 起止时间：2015-04-01 至 2018-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
導電性TiN層上への相転移VO2薄膜の配向成長と転移特性評価
导电TiN层上相变VO2薄膜的定向生长和转变特性评估
- DOI：
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：青戸智寛; 田邊祐大; 中村拓也; 佐藤賢太; モハメッド シュルズミヤ;沖村邦雄
- 通讯作者：沖村邦雄
VO2/Ti/Si点接触積層型デバイスにおける自励発振現象のパラメータ依存性
VO2/Ti/Si点接触堆叠器件自激振荡现象的参数依赖性
- DOI：
- 发表时间：2015
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：モハメッド シュルズミヤ;沖村邦雄;坂井 穣
- 通讯作者：坂井 穣
Fabrication of amorphous silicon nitride thin films by radio-frequency sputtering assisted by an inductively coupled plasma
电感耦合等离子体辅助射频溅射制备非晶氮化硅薄膜
- DOI：10.1016/j.tsf.2017.01.022
- 发表时间：2017
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Y. Ishii; T. Kaneko; K. Okimura; H. Shindo;M. Isomura
- 通讯作者：M. Isomura
Oriented Growth of VO2(B) Thin Films on Mo Foils by Reactive Sputtering for Lithium Ion Batteries
锂离子电池反应溅射在钼箔上定向生长 VO2(B) 薄膜
- DOI：10.1016/j.tsf.2016.07.056
- 发表时间：2016
- 期刊：
- 影响因子：2.1
- 作者：Kui Su; Takuya Naka; Nurul Hanis Azhan; Kunio Okimura;Masashi Higuchi
- 通讯作者：Masashi Higuchi
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Okimura Kunio其他文献
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- 作者：
Kobachi Mitsuki;Miyamaru Fumiaki;Nakanishi Toshihiro;Okimura Kunio;Sanada Atsushi;Nakata Yosuke - 通讯作者：
Nakata Yosuke
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Approaching ultrathin VO2 films on sapphire (001) substrates by biased reactive sputtering: Characteristic morphology and its effect on the infrared-light switching
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- 影响因子：0
- 作者：
Okimura Kunio;Sakai Joe;Kuwahara Masashi;Zaghrioui Mustapha;Uehara Yoichi - 通讯作者：
Uehara Yoichi
Approaching ultrathin VO2 films on sapphire (001) substrates by biased reactive sputtering: Characteristic morphology and its effect on the infrared-light switching
通过偏置反应溅射在蓝宝石 (001) 衬底上制备超薄 VO2 薄膜：特征形貌及其对红外光切换的影响
- DOI：
10.1116/6.0001023 - 发表时间：
2021 - 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：
Okimura Kunio;Sakai Joe;Kuwahara Masashi;Zaghrioui Mustapha;Uehara Yoichi - 通讯作者：
Uehara Yoichi
Approaching ultrathin VO2 films on sapphire (001) substrates by biased reactive sputtering: Characteristic morphology and its effect on the infrared-light switching
通过偏置反应溅射在蓝宝石 (001) 衬底上制备超薄 VO2 薄膜：特征形貌及其对红外光切换的影响
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