Control of the electronic phase of transition-metal oxides exhibiting a first-order phase transition
表现出一级相变的过渡金属氧化物的电子相的控制
基本信息
- 批准号:25790051
- 负责人:
- 金额:$ 2.83万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2016-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
专著数量(0)
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专利数量(0)
Electronic phase control in vanadium dioxide thin films
二氧化钒薄膜的电子相位控制
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Shibuya
- 通讯作者:Keisuke Shibuya
Gate-tunable gigantic lattice deformation in VO2
VO2 中门可调的巨大晶格变形
- DOI:10.1063/1.4861901
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:M. Nakano; S. Takeshita; H. Ohsumi; S. Tardif; K. Shibuya; T. Hatano; H. Yumoto; T. Koyama; H. Ohashi; M. Takata; M. Kawasaki; T. Arima; Y. Tokura;Y. Iwasa
- 通讯作者:Y. Iwasa
Metal-Insulator Transitions in VO2 Epitaxial Thin Films on MgF2 Substrates
MgF2 衬底上 VO2 外延薄膜中的金属-绝缘体转变
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:Keisuke Shibuya; Akihito Sawa
- 通讯作者:Akihito Sawa
Modulation of metal–insulator transition in VO2 by electrolyte gating-induced protonation
金属调制
- DOI:10.1002/aelm.201500131
- 发表时间:2016
- 期刊:
- 影响因子:6.2
- 作者:Keisuke Shibuya; Akihito Sawa
- 通讯作者:Akihito Sawa
High temperature coefficient of resistance of low-temperature-grown VO2 films on TiO2-buffered SiO2/Si (100) substrates
TiO2 缓冲 SiO2/Si (100) 衬底上低温生长 VO2 薄膜的高温电阻系数
- DOI:10.1063/1.4927746
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:3.2
- 作者:Kenichi Miyazaki; Keisuke Shibuya; Megumi Suzuki; Hiroyuki Wado; Akihito Sawa
- 通讯作者:Akihito Sawa
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