Development of optical switch using a metal-insulator transition

利用金属-绝缘体过渡的光开关的开发

• 批准号: 16K04955
• 负责人: SHIBUYA KEISUKE
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2016
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2016-04-01 至 2019-03-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-16K04955/
• 关键词: 二酸化バナジウム; 金属絶縁体転移; シリコン導波路; 光スイッチ; 電子相転移

项目成果

Polarized Raman scattering of epitaxial vanadium dioxide films with low-temperature monoclinic phase

低温单斜相外延二氧化钒薄膜的偏振拉曼散射

• DOI: 10.1063/1.4990988
• 发表时间: 2017
• 影响因子: 3.2
• 作者: Shibuya Keisuke;Sawa Akihito
• 通讯作者: Sawa Akihito

Enhanced superconductivity close to a non-magnetic quantum critical point in electron-doped strontium titanate

电子掺杂钛酸锶的增强超导性接近非磁性量子临界点

• DOI: 10.1038/s41467-019-08693-1
• 发表时间: 2019
• 影响因子: 16.6
• 作者: Tomioka Yasuhide;Shirakawa Naoki;Shibuya Keisuke;Inoue Isao H.
• 通讯作者: Inoue Isao H.

Phase stability and metal-insulator transition of VO2 on Si

Si 上 VO2 的相稳定性和金属-绝缘体转变

• 发表时间: 2018
• 作者: Keisuke Shibuya

Impact of electron doping on electronic phases of vanadium dioxide

电子掺杂对二氧化钒电子相的影响

• 发表时间: 2017
• 作者: Keisuke Shibuya

Phase transformation behavior of ultrathin Hf0.5Zr0.5O2 films investigated through wide range annealing experiments

通过大范围退火实验研究超薄 Hf0.5Zr0.5O2 薄膜的相变行为

• DOI: 10.7567/1347-4065/ab00f6
• 发表时间: 2019
• 影响因子: 1.5
• 作者: Shinji Migita; Hiroyuki Ota; Keisuke Shibuya; Hiroyuki Yamada; Akihito Sawa; Takashi Matsukawa; Akira Toriumi
• 通讯作者: Akira Toriumi