Study on crystalline growth of phase transition oxide and electric field-induced switching phenomena

相变氧化物晶体生长及电场诱导开关现象的研究

• 批准号: 20560016
• 负责人: OKIMURA Kunio
• 金额: $ 3.08万
• 依托单位: Tokai University
• 依托单位国家: 日本
• 项目类别: Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
• 财政年份: 2008
• 资助国家: 日本
• 起止时间: 2008 至 2010
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-20560016/
• 关键词: 結晶成長; 機能性酸化物; バナジウム酸化膜; スパッタ成膜法; 相共存; スイッチングデバイス; 相転移; 酸化状態制御; エピタキシャル成長; ICP支援スパッタ成膜法; プラズマプロセス; メモリーデバイス

In this project, we fabricated planer-type switching device utilizing vanadium dioxide (VO_2) films with metal-insulator transition (MIT) and investigated electric-field induced switching phenomena. We showed fast switching with response time of around 100 ns under electric pulse addition. This phenomenon was considered to be responsible for strong electron correlation effect. The results will be of importance for realizing next generation switching device utilizing phase transition oxide materials.

在这个项目中，我们利用具有金属-绝缘体转变（MIT）的二氧化钒（VO_2）薄膜制造了平面型开关器件，并研究了电场感应开关现象。我们展示了在电脉冲添加下响应时间约为 100 ns 的快速切换。这种现象被认为是造成强电子相关效应的原因。该结果对于实现利用相变氧化物材料的下一代开关器件具有重要意义。

项目成果

サファイア基板上エピタキシャルV_2O_3薄膜成長とアニールによるVO_2への変態

蓝宝石衬底上外延生长V_2O_3薄膜并通过退火转变为VO_2

• 发表时间: 2010
• 作者: 沖村邦雄;鈴木亮太;鈴木康史
• 通讯作者: 鈴木康史

反応性スパッタ法による相転移V2O3薄膜のサファイア基板上へのエピタキシャル成長

反应溅射法在蓝宝石衬底上外延生长相变V2O3薄膜

• 发表时间: 2010
• 作者: 沖村邦雄;鈴木康史
• 通讯作者: 鈴木康史

Effect of annealing with Ar plasma irradiation for transparent conductive Nb-doped TiO_2 films on glass substrate

Ar等离子体辐照退火对玻璃基底透明导电Nb掺杂TiO_2薄膜的影响

• 发表时间: 2008
• 作者: Mika Hojo; Kunio Okimura
• 通讯作者: Kunio Okimura

サファイア基板上に成長したバナジウム酸化膜の相転移特性に対するポストアニール効果

后退火对蓝宝石衬底上氧化钒薄膜相变性能的影响

• 发表时间: 2010
• 作者: 沖村邦雄

Nurul Ezreena and Joe Sakai : X-ray diffraction study on structures of vanadium dioxide films with metal-insulator transition

Nurul Ezreena 和 Joe Sakai：金属-绝缘体转变二氧化钒薄膜结构的 X 射线衍射研究

• 发表时间: 2008
• 作者: 沖村邦雄