Fabrication of InSb-based high-speed and low power devices on Si by using surface reconstruction controlled epitaxy
表面重构控制外延在Si上制备InSb基高速低功耗器件
基本信息
- 批准号：22560323
- 负责人：
- 金额：$ 2.83万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2010
- 资助国家：日本
- 起止时间：2010 至 2012
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
InSb has attracted much interest for application of ultra-fast and low power devices. To realize the InSb-based FET, we prepared the quasi-pseudomorphic quantum well MOSFETs, in which the thin InSb layer was grown on Si（111) substrate by using surface reconstruction controlled epitaxy,, and 10- 30nm-thick Al2O3 layer was deposited on the InSb layer. As the results, our quasi-pseudomorphic QW-MOFET device with 15nm-thick InSb layer, gate length of 5μm and gate width of 40μm showed high transconductance of 63mS/mm.
InSb在超快和低功耗器件中的应用引起了人们的广泛兴趣，为了实现基于InSb的FET，我们制备了准赝晶量子阱MOSFET，其中使用Si（111）衬底上生长了薄InSb层。表面重构控制外延，并在InSb层上沉积10-30nm厚的Al2O3层，结果是我们的准赝晶。 InSb层厚15nm、栅长5μm、栅宽40μm的QW-MOFET器件表现出63mS/mm的高跨导。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Heteroepitaxial growth of AlInSb on a Si(111) substrate using surface reconstruction controlled epitaxy
使用表面重构控制外延在 Si(111) 衬底上异质外延生长 AlInSb
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：M. Mori; Y. Yasui; N. Nakayama; M. Miura; K. Maezawa
- 通讯作者：K. Maezawa
Highelectron mobilityInSbfilms grown on Si(111) substrate Inand2x2-In surface reconstruction
在 Si(111) 衬底 Inand2x2-In 表面重建上生长的高电子迁移率 InSb 薄膜
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：S.Khamseh; K.Nakatani; K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
- 通讯作者：K.Naka vama. M.Mori. K.Maezawa
InSb単分子層を用いた高移動度InSb薄膜のヘテロエピタキシャル成長
使用 InSb 单层异质外延生长高迁移率 InSb 薄膜
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中山幸二;中谷公彦;安井雄一郎;サラ カマセ;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者：前澤宏一
InSb単分子層を介したSi基板上への高移動度InSb薄膜の作製
单层InSb在Si衬底上制备高迁移率InSb薄膜
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：中山幸二;安井雄一郎;中谷公彦;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者：前澤宏一
化合物半導体上におけるInSBなのワイヤーの成長
化合物半导体上 InSB 线的生长
- DOI：
- 发表时间：2011
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：大川一成;河合太宮人;中谷裕介;橋本将視;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者：前澤宏一
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