Study of InSb-CMOS on Si subustrate by using surface reconstruction controlled epitaxy
表面重构控制外延硅衬底InSb-CMOS研究
基本信息
- 批准号:25289099
- 负责人:
- 金额:$ 11.4万
- 依托单位:
- 依托单位国家:日本
- 项目类别:Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
- 财政年份:2013
- 资助国家:日本
- 起止时间:2013-04-01 至 2017-03-31
- 项目状态:已结题
- 来源:
- 关键词:
项目摘要
项目成果
期刊论文数量(0)
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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Heteroepitaxial growth of InSb films on Si(100) substrate with micro facet structures
具有微面结构的 Si(100) 衬底上异质外延生长 InSb 薄膜
- DOI:
- 发表时间:2015
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:E. Umemura; M. Mori; T. Sakamoto; H. Shimoyama; K. Maezawa
- 通讯作者:K. Maezawa
Selective area growth of InSb on Si(111) substrate by using Sb induced surface reconstruction
利用 Sb 诱导表面重构在 Si(111) 衬底上选择性区域生长 InSb
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:X. Wang; M. Mori; K. Maezawa
- 通讯作者:K. Maezawa
SOI(Silicon-on-Insulator)基板上へのInSbヘテロエピタキシャル成長
SOI(绝缘体上硅)衬底上的 InSb 异质外延生长
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:坂本大地;森雅之;前澤宏一
- 通讯作者:前澤宏一
Electrical Characterization of n+-InSb/p-Si Heterojunctions Grown by Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
表面重构控制外延生长的 n -InSb/p-Si 异质结的电学特性
- DOI:
- 发表时间:2014
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:K. Kimura; K. Hosotani; T. Ito; H. Shimoyama; T. Sakamoto; M. Mori;K. Maezawa
- 通讯作者:K. Maezawa
溝(111)面を形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜の成長
(111)面沟槽Si(100)衬底上InSb薄膜的生长
- DOI:
- 发表时间:2013
- 期刊:
- 影响因子:0
- 作者:下山浩哉;森雅之;前澤宏一.
- 通讯作者:前澤宏一.
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