Study of InSb-CMOS on Si subustrate by using surface reconstruction controlled epitaxy

表面重构控制外延硅衬底InSb-CMOS研究

基本信息

  • 批准号:
    25289099
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 11.4万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
  • 财政年份:
    2013
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2013-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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会议论文数量(0)
专利数量(0)
Heteroepitaxial growth of InSb films on Si(100) substrate with micro facet structures
具有微面结构的 Si(100) 衬底上异质外延生长 InSb 薄膜
  • DOI:
  • 发表时间:
    2015
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    E. Umemura; M. Mori; T. Sakamoto; H. Shimoyama; K. Maezawa
  • 通讯作者:
    K. Maezawa
Selective area growth of InSb on Si(111) substrate by using Sb induced surface reconstruction
利用 Sb 诱导表面重构在 Si(111) 衬底上选择性区域生长 InSb
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    X. Wang; M. Mori; K. Maezawa
  • 通讯作者:
    K. Maezawa
SOI(Silicon-on-Insulator)基板上へのInSbヘテロエピタキシャル成長
SOI(绝缘体上硅)衬底上的 InSb 异质外延生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂本大地;森雅之;前澤宏一
  • 通讯作者:
    前澤宏一
Electrical Characterization of n+-InSb/p-Si Heterojunctions Grown by Surface Reconstruction Controlled Epitaxy
表面重构控制外延生长的 n -InSb/p-Si 异质结的电学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    K. Kimura; K. Hosotani; T. Ito; H. Shimoyama; T. Sakamoto; M. Mori;K. Maezawa
  • 通讯作者:
    K. Maezawa
溝(111)面を形成したSi(100)基板上へのInSb薄膜の成長
(111)面沟槽Si(100)衬底上InSb薄膜的生长
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    下山浩哉;森雅之;前澤宏一.
  • 通讯作者:
    前澤宏一.
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  • 作者:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    Maezawa Koichi;Ito Tatsuo;Mori Masayuki
  • 通讯作者:
    Mori Masayuki
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  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Tsuchiya Masaki;Hara Yuji;Okuda Masaki;Itoh Karin;Nishioka Ryotaro;Shiomi Akifumi;Nagao Kohjiro;Mori Masayuki;Mori Yasuo;Ikenouchi Junichi;Suzuki Ryo;Tanaka Motomu;Ohwada Tomohiko;Aoki Junken;Kanagawa Motoi;Toda Tatsushi;Nagata Yosuke;Matsuda Ryoichi;Taka
  • 通讯作者:
    Taka
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  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    3.4
  • 作者:
    Liu Chang;Miyahara Hiroki;Dai Jian;Cui Xiaoran;Li Ying;Kang Xiaojing;Higuchi Keiichi;Mori Masayuki
  • 通讯作者:
    Mori Masayuki
Cell surface flip-flop of phosphatidylserine is critical for PIEZO1-mediated myotube formation
磷脂酰丝氨酸的细胞表面翻转对于 PIEZO1 介导的肌管形成至关重要
  • DOI:
    10.1038/s41467-018-04436-w
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    16.6
  • 作者:
    Tsuchiya Masaki;Hara Yuji;Okuda Masaki;Itoh Karin;Nishioka Ryotaro;Shiomi Akifumi;Nagao Kohjiro;Mori Masayuki;Mori Yasuo;Ikenouchi Junichi;Suzuki Ryo;Tanaka Motomu;Ohwada Tomohiko;Aoki Junken;Kanagawa Motoi;Toda Tatsushi;Nagata Yosuke;Matsuda Ryoichi;Taka
  • 通讯作者:
    Taka
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    2022
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  • 作者:
    Miyahara Hiroki;Dai Jian;Li Ying;Cui Xiaoran;Takeuchi Hibiki;Hachiya Naomi;Kametani Fuyuki;Yazaki Masahide;Mori Masayuki;Higuchi Keiichi
  • 通讯作者:
    Higuchi Keiichi

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