Study of InSb-related CMOS on Si substrate with surface reconstruction controled epitaxy

表面重构控制外延Si衬底上InSb相关CMOS的研究

基本信息

批准号：
18H01496
负责人：
Mori Masayuki
金额：
$ 11.23万
依托单位：
University of Toyama
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
财政年份：
2018
资助国家：
日本
起止时间：
2018-04-01 至 2022-03-31
项目状态：
已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

Influence of Areal Ratio of InSb and GaSb bi-layers on Growth of InGaSb Thin Films on Si(111) Substrate

InSb和GaSb双层面积比对Si(111)衬底上InGaSb薄膜生长的影响

DOI：
发表时间：
2021
期刊：
影响因子：
0
作者：
Masayuki MORI; Jotaro INOUE; Koichi MAEZAWA
通讯作者：
Koichi MAEZAWA

極微電子工学講座

微电子课程

DOI：
发表时间：
期刊：
影响因子：
0
作者：
通讯作者：

Effect of flux ratio on GaSb films grown at a low temperature on Si(111)

通量比对Si(111)上低温生长GaSb薄膜的影响

DOI：
10.1109/iciev.2019.8858576
发表时间：
2019
期刊：
影响因子：
0
作者：
A. A. Md. Monzur
通讯作者：
A. A. Md. Monzur

GaSb/Si(111)基板上へのInSbのエピタキシャル薄膜の作製と評価

GaSb/Si(111)衬底上InSb外延薄膜的制备与评价

DOI：
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
0
作者：
長橋栄臣;森雅之;前澤宏一
通讯作者：
前澤宏一

InSb/Si(111)上へのGaSb薄膜成長における基板温度と膜厚の依存性

InSb/Si(111) 上的 GaSb 薄膜生长与衬底温度和薄膜厚度的关系

DOI：
发表时间：
2020
期刊：
影响因子：
0
作者：
橋本拓磨;森雅之;前澤宏一
通讯作者：
前澤宏一

DOI：
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作者：
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作者：
Maezawa Koichi;Ito Tatsuo;Mori Masayuki
通讯作者：
Mori Masayuki

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2018
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影响因子：
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3.4
作者：
Liu Chang;Miyahara Hiroki;Dai Jian;Cui Xiaoran;Li Ying;Kang Xiaojing;Higuchi Keiichi;Mori Masayuki
通讯作者：
Mori Masayuki

Cell surface flip-flop of phosphatidylserine is critical for PIEZO1-mediated myotube formation

磷脂酰丝氨酸的细胞表面翻转对于 PIEZO1 介导的肌管形成至关重要

DOI：
10.1038/s41467-018-04436-w
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
16.6
作者：
Tsuchiya Masaki;Hara Yuji;Okuda Masaki;Itoh Karin;Nishioka Ryotaro;Shiomi Akifumi;Nagao Kohjiro;Mori Masayuki;Mori Yasuo;Ikenouchi Junichi;Suzuki Ryo;Tanaka Motomu;Ohwada Tomohiko;Aoki Junken;Kanagawa Motoi;Toda Tatsushi;Nagata Yosuke;Matsuda Ryoichi;Taka
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DOI：
10.1080/13506129.2022.2153667
发表时间：
2022
期刊：
影响因子：
5.5
作者：
Miyahara Hiroki;Dai Jian;Li Ying;Cui Xiaoran;Takeuchi Hibiki;Hachiya Naomi;Kametani Fuyuki;Yazaki Masahide;Mori Masayuki;Higuchi Keiichi
通讯作者：
Higuchi Keiichi