Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices

使用半导体器件的氢传感器的研究

基本信息

  • 批准号:
    17K06365
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 3万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份:
    2017
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2017-04-01 至 2021-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

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专利数量(0)
Investigation of intermediate layers in oxides/GaN(0001) by electron microscopy
通过电子显微镜研究氧化物/GaN(0001)中的中间层
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Toshihide Nabatame;Koji Kimoto and Yasuo Koide
  • 通讯作者:
    Koji Kimoto and Yasuo Koide
Electron microscopy and ultraviolet photoemission spectroscopy studies of native oxides on GaN(0001)
GaN(0001)上原生氧化物的电子显微镜和紫外光电子能谱研究
  • DOI:
    10.7567/jjap.57.098003
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.5
  • 作者:
    Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Tsuyoshi Ohnishi;Koji Kimoto;Yasuo Koide
  • 通讯作者:
    Yasuo Koide
Comprehensive study of native oxides on GaN
GaN 上原生氧化物的综合研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshihiro Irokawa;Kazutaka Mitsuishi;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Tsuyoshi Ohnishi;Koji Kimoto and Yasuo Koide
  • 通讯作者:
    Koji Kimoto and Yasuo Koide
半導体基板、半導体基板の製造方法およびそれを用いた半導体装置
半导体衬底、半导体衬底的制造方法以及使用其的半导体装置
  • DOI:
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Surface analysis of native oxides on GaN(0001): An LEIS and RHEED study
GaN(0001) 上原生氧化物的表面分析:LEIS 和 RHEED 研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yoshihiro Irokawa;Taku T. Suzuki;Kazuya Yuge;Akihiko Ohi;Toshihide Nabatame;Koji Kimoto;Tsuyoshi Ohnishi;Kazutaka Mitsuishi;and Yasuo Koide
  • 通讯作者:
    and Yasuo Koide
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    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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  • 资助金额:
    $ 3万
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  • 财政年份:
    1994
  • 资助金额:
    $ 3万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
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