Hydrogen sensors using nitride-based semiconsuctor devices

使用氮化物半导体器件的氢传感器

基本信息

批准号：
23560380
负责人：
IROKAWA Yoshihiro
金额：
$ 3.58万
依托单位：
National Institute for Materials Science
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
起止时间：
2011-04-28 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-23560380/
关键词：
水素窒化物半導体界面窒化アルミニウム

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（0）

专著数量（0）

科研奖励数量（0）

会议论文数量（0）

专利数量（0）

Hydrogen sensors based on GaN diodes: The sensing mechanism

基于 GaN 二极管的氢传感器：传感机制

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
葛生一馬;池田正則;清水博文;高松弘行;迫田尚和;Yoshihiro Irokawa
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa

Hydrogen Interaction with GaN MIS Diodes

氢与 GaN MIS 二极管的相互作用

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
伴野信哉;竹内孝夫;中川和彦;櫻井義博;土屋清澄;Yoshihiro Irokawa
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa

Impedance Analysis on Hydrogen Interaction with Pt-AlGaN/GaN　Schottky Barrier Diodes

氢与 Pt-AlGaN/GaN 肖特基势垒二极管相互作用的阻抗分析

DOI：
10.1149/2.0041411eel
发表时间：
2014
期刊：
ECS Electrochemistry Letters
影响因子：
0
作者：
K.Shinbo;H.Ishikawa;M.Iwasaki;A.Uno;Y.Ohdaira;A.Baba;K.Kato and F.Kaneko;Yoshihiro Irokawa
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa

Solid state hydrogen gas sensing

固态氢气传感

DOI：
发表时间：
2011
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yoshihiro Irokawa
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa

Interface states in metal-insulator-semiconductor Pt-GaN diode hydrogen sensors

金属-绝缘体-半导体 Pt-GaN 二极管氢传感器中的界面态

DOI：
10.1063/1.4775410
发表时间：
2013
期刊：
J. Appl. Phys.
影响因子：
0
作者：
伴野信哉;竹内孝夫;土屋清澄;Yoshihiro Irokawa
通讯作者：
Yoshihiro Irokawa

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}

作者：
{{ item.author }}

数据更新时间：{{ patent.updateTime }}

IROKAWA Yoshihiro其他文献

IROKAWA Yoshihiro的其他文献

DOI：
{{ item.doi }}
发表时间：
{{ item.publish_year }}
期刊：
{{ item.journal_name }}
影响因子：
{{ item.factor }}
作者：
{{ item.authors }}
通讯作者：
{{ item.author }}

{{ truncateString('IROKAWA Yoshihiro', 18)}}的其他基金

Investigation on hydrogen sensors using semiconductor devices

使用半导体器件的氢传感器的研究

批准号：
17K06365
财政年份：
2017
资助金额：
$ 3.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)

Research on nitride based semiconductor power devices

氮化物基半导体功率器件的研究

批准号：
21760241
财政年份：
2009
资助金额：
$ 3.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)

相似海外基金

界面電荷・歪分極エンジニアリングの併用による窒化物半導体デバイス閾値電圧制御

使用界面电荷和应变极化工程控制氮化物半导体器件的阈值电压

批准号：
23K22815
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

窒化物半導体異種界面パラレル伝導制御とマルチチャネル高周波トランジスタの開発

氮化物半导体异种界面的并联导通控制及多通道高频晶体管的开发

批准号：
23K26131
财政年份：
2024
资助金额：
$ 3.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)

界面構造最適化による窒化物半導体デバイス型水素センサの高性能化

通过优化界面结构提高氮化物半导体器件型氢传感器性能

批准号：
23K03949
财政年份：
2023
资助金额：
$ 3.58万
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)