Investigation on hydrogen interaction with nitride-based semiconductor metal/semiconductor interfaces

氢与氮化物基半导体金属/半导体界面相互作用的研究

基本信息

  • 批准号：
    26420286
  • 负责人：
    Irokawa Yoshihiro
  • 金额：
    $ 2.75万
  • 依托单位：
    National Institute for Materials Science
  • 依托单位国家：
    日本
  • 项目类别：
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
  • 财政年份：
    2014
  • 资助国家：
    日本
  • 起止时间：
    2014-04-01 至 2017-03-31
  • 项目状态：
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量（3）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
半導体デバイス型水素センサの動作機構の研究
半导体器件型氢传感器工作机理研究
  • DOI：
  • 发表时间：
    2016
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    立岡 浩一;佐々木 謙太;熊澤 佑貴;孟 祥;袁 佩玲;色川芳宏
  • 通讯作者：
    色川芳宏
First-principles calculations of semiconducting TiMgN2
半導体デバイスを用いた水素センサーの動作機構の解明
阐明使用半导体器件的氢传感器的工作机制
  • DOI：
  • 发表时间：
    2015
  • 期刊：
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    立岡 浩一;佐々木 謙太;熊澤 佑貴;孟 祥;袁 佩玲;色川芳宏;色川芳宏
  • 通讯作者：
    色川芳宏
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Irokawa Yoshihiro其他文献

(Invited) Study of HfO2-Based High-k Gate Insulators for GaN Power Device
（特邀）GaN功率器件用HfO2基高k栅绝缘体的研究
  • DOI：
    10.1149/10404.0113ecst
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    ECS Transactions
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nabatame Toshihide;Maeda Erika;Inoue Mari;Hirose Masafumi;Ochi Ryota;Sawada Tomomi;Irokawa Yoshihiro;Hashizume Tamotsu;Shiozaki Koji;Onaya Takashi;Tsukagoshi Kazuhito;Koide Yasuo
  • 通讯作者：
    Koide Yasuo
Influence of HfO2 and SiO2 interfacial layers on the characteristics of n-GaN/HfSiOx capacitors using plasma-enhanced atomic layer deposition
HfO2 和 SiO2 界面层对等离子体增强原子层沉积 n-GaN/HfSiOx 电容器特性的影响
  • DOI：
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  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science &Technology A
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Nabatame Toshihide;Maeda Erika;Inoue Mari;Hirose Masafumi;Irokawa Yoshihiro;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Onaya Takashi;Shiozaki Koji;Ochi Ryota;Hashizume Tamotsu;Koide Yasuo
  • 通讯作者：
    Koide Yasuo
Interface characteristics of β-Ga2O3/Al2O3/Pt capacitors after postmetallization annealing
β-Ga2O3/Al2O3/Pt电容器金属化后退火后的界面特性
  • DOI：
    10.1116/6.0000626
  • 发表时间：
    2021
  • 期刊：
    Journal of Vacuum Science &Technology A
  • 影响因子：
    0
  • 作者：
    Hirose Masafumi;Nabatame Toshihide;Irokawa Yoshihiro;Maeda Erika;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Sang Liwen;Koide Yasuo;Kiyono Hajime
  • 通讯作者：
    Kiyono Hajime
Low-energy ion scattering spectroscopy and reflection high-energy electron diffraction of native oxides on GaN(0001)
GaN(0001)上原生氧化物的低能离子散射光谱和反射高能电子衍射
  • DOI：
    10.7567/jjap.56.128004
  • 发表时间：
    2017
  • 期刊：
    Japanese Journal of Applied Physics
  • 影响因子：
    1.5
  • 作者：
    Irokawa Yoshihiro;Suzuki Taku T.;Yuge Kazuya;Ohi Akihiko;Nabatame Toshihide;Kimoto Koji;Ohnishi Tsuyoshi;Mitsuishi Kazutaka;Koide Yasuo
  • 通讯作者：
    Koide Yasuo
Characteristics of Al2O3/native oxide/n-GaN capacitors by post-metallization annealing
金属化后退火的 Al2O3/原生氧化物/n-GaN 电容器的特性
  • DOI：
    10.1088/1361-6641/aafdbd
  • 发表时间：
    2019
  • 期刊：
    Semiconductor Science and Technology
  • 影响因子：
    1.9
  • 作者：
    Yuge Kazuya;Nabatame Toshihide;Irokawa Yoshihiro;Ohi Akihiko;Ikeda Naoki;Sang Liwen;Koide Yasuo;Ohishi Tomoji
  • 通讯作者：
    Ohishi Tomoji

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