ミストCVDによる高耐圧HEMTの作製

雾气CVD法制备高压HEMT

基本信息

  • 批准号:
    16F16373
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 1.41万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
  • 财政年份:
    2016
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2016-10-07 至 2019-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

最終年度残り5ヶ月にα-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3系HEMT作製を達成させる為、主にデバイス形成プロセスの構築を試みた。まずα-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜のパターン形成プロセスの選択や保護膜の選択と各種電極形成に関する研究を行った。α-((Al, or Cr)xGa1-x)2O3系薄膜の耐薬品性が非常に高く、そのパターン形成は困難であると考えられた。しかしながら、Ga2O3とAlとCrを混晶したGa2O3はそれぞれ異なる溶剤でエッチング(食刻)できる事を発見し、パターン形成プロセスを構築することが叶った。またショットキー電極としてRFスパッタリングを用いて形成したAgOがリフトオフプロセスによるパターン形成が可能かどうかを確認した。最終的にHEMT構造を形成し特性評価を行った。しかしながら、最適化までには至らなかった。今後この2年間の研究を踏まえ、更に促進させていく予定である。
为了在最后一年的剩余五个月内实现α-(AlxGa1-x)2O3/α-(CrxGa1-x)2O3基HEMT的制造,我们主要尝试构建器件形成过程。首先,我们对α-((Al或Cr)xGa1-x)2O3薄膜的图案形成工艺的选择、保护膜的选择以及各种电极的形成进行了研究。 α-((Al或Cr)xGa1-x)2O3基薄膜具有非常高的耐化学性,并且人们认为对其进行图案化是困难的。然而,我们发现Ga2O3和Ga2O3(Al和Cr的混合晶体)可以使用不同的溶剂进行蚀刻,并且我们能够创建图案形成工艺。我们还确认了使用射频溅射形成的 AgO 作为肖特基电极是否可以使用剥离工艺进行图案化。最后形成HEMT结构并评价其特性。然而,优化并没有实现。我们计划在过去两年的研究基础上进一步推进这个项目。

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Investigation on the composition ratio via ZnMgO thin film fabrication by mist CVD
雾气CVD法制备ZnMgO薄膜的成分比研究
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Phimolphan Rutthongjan;Li Liu;Misaki Nishi;Masahito Sakamoto;Shota Sato;Ellawala K.C. Pradeep;Giang Thai Dang;and Toshiyuki Kawaharamura
  • 通讯作者:
    and Toshiyuki Kawaharamura
時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発3
利用时空分离产生的雾流开发新的反应控制技术3
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    川原村 敏幸;ルトンジャン ピモンパン;劉 麗;西 美咲;坂本 雅仁;佐藤 翔太;上田 真理子;E.K.C. プラディープ;鄧 太 江
  • 通讯作者:
    鄧 太 江
時間的・空間的隔たり産み出すミスト流を用いた新反応制御技術の開発2
利用时空分离产生的雾流开发新型反应控制技术2
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    川原村 敏幸;ルトンジャン ピモンパン;劉 麗;西 美咲;坂本 雅仁;小林 勇亮;E.K.C. プラディープ;鄧 太江;佐藤 翔太;山沖 駿友;中曽根 義晃;上田 真理子
  • 通讯作者:
    上田 真理子
川原村敏幸のHP
川原村敏之的HP
  • DOI:
  • 发表时间:
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
  • 通讯作者:
Development of α-Ga2O3-based high power devices
α-Ga2O3基高功率器件的开发
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Giang T. Dang;Toshiyuki Kawaharamura,
  • 通讯作者:
    Toshiyuki Kawaharamura,
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

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  • 影响因子:
    0
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    坂本 雅仁;安岡 龍哉;西 美咲;劉 麗;ルトンジャン ピモンパン;佐藤 翔太;上田 真理子;田頭 侑貴;長谷川 諒;尾崎 珠子;鄧 太 江;川原村 敏幸
  • 通讯作者:
    川原村 敏幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
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  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    RUTTHONGJAN Phimolphan;西 美咲;劉 麗,鄧 太 江;川原村 敏幸
  • 通讯作者:
    川原村 敏幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2016
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  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    松崎俊介;太田垣知輝;高木耕平;川原村敏幸;川原村 敏幸
  • 通讯作者:
    川原村 敏幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    坂本 雅仁;川原村 敏幸
  • 通讯作者:
    川原村 敏幸
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  • DOI:
  • 发表时间:
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    0
  • 作者:
    吉元 貴志;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;李維涛;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;Toshiyuki Kawaharamura;川原村 敏幸;Hiroyuki Nishinaka;篠原 大輔;川原村 敏幸
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{{ item.translation_title }}
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    Grant-in-Aid for JSPS Fellows

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{{ showInfoDetail.title }}

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