Perfect Control Electronic Device Application of Organic Crystal Growth at Soild/Liquid Interface and device applications
固/液界面有机晶体生长的完美控制电子器件应用及器件应用
基本信息
- 批准号：20760485
- 负责人：
- 金额：$ 2.75万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
- 财政年份：2008
- 资助国家：日本
- 起止时间：2008 至 2009
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
In this project, we have studied the crystal-growth process of rubrene and graphene at solid/liquid interfaces by using atomic-scale characterization methods, for instance, atomic force microscopy. Almost perfect single crystal of rubrene could be obtained and be used in device applications. On the other hand, high-quality graphene crystalline films could be formed on silicon substrates, and the control of the electronic properties of the graphene film has been established.
在这个项目中，我们利用原子力显微镜等原子尺度表征方法研究了红荧烯和石墨烯在固/液界面的晶体生长过程。可以获得几乎完美的红荧烯单晶并用于器件应用。另一方面，可以在硅衬底上形成高质量的石墨烯晶体薄膜，并且已经建立了对石墨烯薄膜电子性能的控制。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
High-resolution molecular images of rubrene single crystals obtained by frequency modulation atomic force microscopy
通过调频原子力显微镜获得红荧烯单晶的高分辨率分子图像
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：湊丈俊;青木洋人;吹留博一;トーステン・ワグナー;板谷謹悟
- 通讯作者：板谷謹悟
Epitaxial growth of graphene on various silicon substrates
石墨烯在各种硅衬底上的外延生长
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吹留博一;宮本優;半田浩;高橋良太;今泉京;末光眞希
- 通讯作者：末光眞希
Growth Processes of graphene on Si Substrates
石墨烯在硅衬底上的生长过程
- DOI：
- 发表时间：2010
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吹留博一;半田浩之;斎藤英司;末光眞希
- 通讯作者：末光眞希
Si基板上に成長させたグラフェンの共鳴ラマン分光
Si 基底上生长的石墨烯的共振拉曼光谱
- DOI：
- 发表时间：2009
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：宮本優; 半田浩之; 吹留博一; 伊藤隆; 末光眞希
- 通讯作者：末光眞希
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ journalArticles.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ monograph.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ sciAawards.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ conferencePapers.updateTime }}
{{ item.title }}
- 作者：
{{ item.author }}
数据更新时间：{{ patent.updateTime }}
FUKIDOME Hirokazu其他文献
FUKIDOME Hirokazu的其他文献
{{
item.title }}
{{ item.translation_title }}
- DOI：
{{ item.doi }} - 发表时间：
{{ item.publish_year }} - 期刊：
- 影响因子：{{ item.factor }}
- 作者：
{{ item.authors }} - 通讯作者：
{{ item.author }}
{{ truncateString('FUKIDOME Hirokazu', 18)}}的其他基金
Nanoscale control of physical properties of grapheen by site-selective epitaxy of graphene using substrate microfabrication
使用衬底微加工对石墨烯进行位点选择性外延来纳米级控制石墨烯的物理性质
- 批准号：
23560003 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
相似海外基金
軽元素からなる積層原子膜の電子伝導現象の解明と超高効率電子輸送デバイス設計
阐明轻元素层压原子膜中的电子传导现象和超高效电子传输器件的设计
- 批准号：
21K04876 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
液体流動と電子材料界面における動電現象解明と新規電子デバイス創成
阐明液体流动和电子材料之间界面的动电现象并创建新的电子设备
- 批准号：
21H01755 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of direct synthesis of h-BN and highly monochromatic electron emission devices using stacking structure of atomic layered materials
利用原子层状材料的堆叠结构直接合成h-BN和高度单色电子发射器件的开发
- 批准号：
21H01401 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Development of spin-valley quantum devices based on graphene heterostructures
基于石墨烯异质结构的自旋谷量子器件的研制
- 批准号：
19K15385 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
Process temperature and resistance reduction for solid-phase deposition of multi-layer graphene by current application
当前应用的多层石墨烯固相沉积的工艺温度和电阻降低
- 批准号：
18K04289 - 财政年份：2018
- 资助金额：
$ 2.75万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)