Development of spin-valley quantum devices based on graphene heterostructures
基于石墨烯异质结构的自旋谷量子器件的研制
基本信息
- 批准号：19K15385
- 负责人：
- 金额：$ 2.66万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Early-Career Scientists
- 财政年份：2019
- 资助国家：日本
- 起止时间：2019-04-01 至 2021-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（27）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
4層グラフェンを用いた量子ドットデバイスの垂直磁場依存性
使用四层石墨烯的量子点器件的垂直磁场依赖性
- DOI：
- 发表时间：2020
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：加藤拓; 岩崎拓哉; 渡邊賢司; 谷口尚; 森山悟士; 羽田野剛司
- 通讯作者：羽田野剛司
Topological valley currents in bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices
双层石墨烯/六方氮化硼超晶格中的拓扑谷电流
- DOI：10.1063/1.5094456
- 发表时间：2019-03-02
- 期刊：
- 影响因子：4
- 作者：Kosuke Endo;K. Komatsu;T. Iwasaki;E. Watanabe;D. Tsuya;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;Y. Noguchi;Y. Wakayama;Y. Morita;S. Moriyama
- 通讯作者：S. Moriyama
Fabrication of folded bilayer-bilayer graphene/hexagonal boron nitride superlattices
折叠双层石墨烯/六方氮化硼超晶格的制备
- DOI：10.35848/1882-0786/ab790d
- 发表时间：2020-03-01
- 期刊：
- 影响因子：2.3
- 作者：T. Iwasaki;Y. Morita;S. Nakaharai;Y. Wakayama;E. Watanabe;D. Tsuya;Kenji Watanabe;T. Taniguchi;S. Moriyama
- 通讯作者：S. Moriyama
Valley Hall effect and nonlocal resistance in locally gapped graphene
局部带隙石墨烯中的谷霍尔效应和非局部电阻
- DOI：10.1103/physrevb.103.115406
- 发表时间：2021-03-04
- 期刊：
- 影响因子：3.7
- 作者：Thomas Aktor;Jose H. Garcia;S. Roche;A. Jauho;S. R. Power
- 通讯作者：S. R. Power
Fabrication and characterization of quantum dot devices based on tetralayer graphene/hexagonal boron nitride heterostructures
基于四层石墨烯/六方氮化硼异质结构的量子点器件的制备与表征
- DOI：10.7567/1347-4065/ab65a8
- 发表时间：2019
- 期刊：
- 影响因子：1.5
- 作者：Iwasaki Takuya;Kato Taku;Ito Hirohito;WATANABE Kenji;Taniguchi Takashi;Wakayama Yutaka;Hatano Tsuyoshi;Moriyama Satoshi
- 通讯作者：Moriyama Satoshi
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