Nanoscale control of physical properties of grapheen by site-selective epitaxy of graphene using substrate microfabrication
使用衬底微加工对石墨烯进行位点选择性外延来纳米级控制石墨烯的物理性质
基本信息
- 批准号：23560003
- 负责人：
- 金额：$ 3.49万
- 依托单位：
- 依托单位国家：日本
- 项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
- 财政年份：2011
- 资助国家：日本
- 起止时间：2011-04-28 至 2015-03-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
Nanoscale Operando observation of graphene transistor by using photoelectron emission microscopy
使用光电子发射显微镜对石墨烯晶体管进行纳米级操作观察
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Fukidome
- 通讯作者：H. Fukidome
Control of Electronic and Structural Properties of Epitaxial Graphene on 3C-SiC/Si and Its Device Applications
3C-SiC/Si上外延石墨烯电子和结构性能的控制及其器件应用
- DOI：
- 发表时间：2012
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：Hirokazu Fukidome; Masato Kotsugi; Takuo Ohkouchi; Akitaka Yoshigoe; Yuden Teraoka; Yoshiharu Enta; Toyohiko Kinoshita; Tetsuya Suemitsu; Taiichi Otsuji; Maki Suemitsu
- 通讯作者：Maki Suemitsu
Site selective epitaxy of graphene on Si wafers
硅片上石墨烯的位点选择性外延
- DOI：10.1109/jproc.2013.2259131
- 发表时间：2013
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：H. Fukidome; Y. Kawai; H. H;a; H. Hibino; H. Miyashita; M. Kotsugi; T. Ohkochi; M. Jung; T. Suemitsu; T. Kinoshita; T. Otsuji;M. Suemitsu
- 通讯作者：M. Suemitsu
高輝度放射光を用いたオペランド顕微分光による材料とデバイスのギャップの橋渡し
使用高强度同步辐射的操作显微光谱学弥合材料和设备之间的差距
- DOI：
- 发表时间：2014
- 期刊：
- 影响因子：0
- 作者：吹留博一
- 通讯作者：吹留博一
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