LD fabrication on semipolar GaN/Si by induced pressure InGaN growth and strain control

通过诱导压力 InGaN 生长和应变控制在半极性 GaN/Si 上进行 LD 制造

基本信息

批准号：
24686041
负责人：
HONDA YOSHIO
金额：
$ 17.39万
依托单位：
Nagoya University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
项目状态：
已结题

来源：
https://kaken.nii.ac.jp/grant/KAKENHI-PROJECT-24686041/
关键词：
Si InGaN GaN レーザ半極性面 Si基板レーザー加圧MOVPE MOVPE レーザー構造

项目摘要

项目成果

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专利数量（0）

InGaN growth on GaN/Sapphire by high pressure MOVPE

通过高压 MOVPE 在 GaN/蓝宝石上生长 InGaN

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
Daisuke Hamashita;Yasuyoshi Kurokawa;Makoto Konagai;Yoshio Honda
通讯作者：
Yoshio Honda

Polarization properties 1n InGaN/GaN multiple quantum well on semipolar (1-101) GaN/Si

偏振特性半极性 (1-101) GaN/Si 上的 1n InGaN/GaN 多量子阱

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Kushimoto;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

加圧MOVPE法を用いたInGaN/GaN多重量子井戸の成長

采用加压 MOVPE 方法生长 InGaN/GaN 多量子阱

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
Yuki Hasegawa;Ryuichi Hoshino;Hidekazu Uchida;M.A. Ahmad;土井友博,　本田善央,　山口雅史,　天野浩
通讯作者：
土井友博,　本田善央,　山口雅史,　天野浩

Si基板上半極性面(1-101)GaNストライプ上InGaN/GaN多重量子井戸構造の偏光特性

Si衬底半极性面(1-101)GaN条纹上InGaN/GaN多量子阱结构的偏振特性

DOI：
发表时间：
2012
期刊：
影响因子：
0
作者：
N. Kikuchi;也;久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野浩
通讯作者：
久志本真希・谷川智之・本田善央・山口雅史・天野浩

Anisotropic Optical Properties of Semipolar (1-101) InGaN/GaN Multiple Quantum Wells on a Patterned Si Substrate

图案化 Si 衬底上半极性 (1-101) InGaN/GaN 多量子阱的各向异性光学特性

DOI：
发表时间：
2013
期刊：
影响因子：
0
作者：
M. Kushimoto;T. Tanikawa;Y. Honda;M. Yamaguchi;and H. Amano
通讯作者：
and H. Amano

DOI：
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