Development of InGaAs/InAs on Silicon light emitting devices for environmental analyses

开发用于环境分析的硅发光器件 InGaAs/InAs

基本信息

  • 批准号:
    24681026
  • 负责人:
  • 金额:
    $ 16.97万
  • 依托单位:
  • 依托单位国家:
    日本
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
  • 财政年份:
    2012
  • 资助国家:
    日本
  • 起止时间:
    2012-04-01 至 2016-03-31
  • 项目状态:
    已结题

项目摘要

项目成果

期刊论文数量(0)
专著数量(0)
科研奖励数量(0)
会议论文数量(0)
专利数量(0)
Top-down InGaAs/GaAs nanopillars fabrication using a bio-nano process and a neutral beam etching process
使用生物纳米工艺和中性束蚀刻工艺自上而下制造 InGaAs/GaAs 纳米柱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Cedric Thomas;Kenichi Yoshikawa;Chang-Yong Lee;Yosuke Tamura;Akio Higo;Takayuki Kiba;Akihiro Murayama;Ichiro Yamashita;Seiji Samukawa
  • 通讯作者:
    Seiji Samukawa
Fabrication of GaAs/AlGaAs nano-pillars using bio-tempate combined with neutral beam defect-free etching
利用生物模板结合中性束无缺陷刻蚀制备 GaAs/AlGaAs 纳米柱
  • DOI:
  • 发表时间:
    2013
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Cdric Thomas;Yosuke Tamura;Akio Higo;Naofumi Okamoto;Ichiro Yamashita;and Seiji Samukawa
  • 通讯作者:
    and Seiji Samukawa
Impact of artificial lateral quantum confinement on exciton-spin relaxation in a two-dimensional GaAs electronic system
人工横向量子限制对二维 GaAs 电子系统中激子自旋弛豫的影响
  • DOI:
    10.1063/1.4897958
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.6
  • 作者:
    T. Kiba;T. Tanaka;Y. Tamura;A. Higo;C. Thomas;S. Samukawa and A. Murayama
  • 通讯作者:
    S. Samukawa and A. Murayama
Design of photonic crystal cavity for hexagonal islands
六方岛光子晶体腔设计
  • DOI:
  • 发表时间:
    2012
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Jon Oeyvind Kjellman;Akio Higo;and Yoshiaki Nakano
  • 通讯作者:
    and Yoshiaki Nakano
OPTICAL CHARACTERISTICS OF GAAS QUANTUM NANODISKS ARRAYS BY USING NEUTRAL BEAM TOP - DOWN PROCESS
采用中性束自上而下工艺的 GAAS 量子纳米盘阵列的光学特性
  • DOI:
  • 发表时间:
    2014
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Akio Higo;Takayuki Kiba;Yosuke Tamura;Cedric Thomas;Ichiro Yamashita;Akihiro Murayama;and Seiji Samukawa
  • 通讯作者:
    and Seiji Samukawa
{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ journalArticles.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ monograph.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ sciAawards.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ conferencePapers.updateTime }}

{{ item.title }}
  • 作者:
    {{ item.author }}

数据更新时间:{{ patent.updateTime }}

Higo Akio其他文献

アルミニウム合金の加工熱処理工程における組織形成機構の解明
阐明铝合金热处理过程中的组织形成机制
  • DOI:
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Kiba Takayuki;Iijima Natsumi;Yanome Kazuki;Kawamura Midori;Abe Yoshio;Kim Kyung Ho;Takase Mai;Higo Akio;Takayama Junichi;Hiura Satoshi;Murayama Akihiro;池田賢一
  • 通讯作者:
    池田賢一
Fabrication of PbS QD/Silicon Hybrid Infrared Photodiode for LSI Platform
用于 LSI 平台的 PbS QD/硅混合红外光电二极管的制造
  • DOI:
    10.1541/ieejsmas.138.307
  • 发表时间:
    2018
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Higo Akio;Mita Yoshio;Wang Haibin;Kubo Takaya;Segawa Hiroshi;Usami Naoto;Okamoto Yuki;Yamada Kentaro;Takeshiro Yudai;Sugiyama Masakazu
  • 通讯作者:
    Sugiyama Masakazu
プローブ波とポンプ波を用いたき裂を有するガラスからの2次高調波超音波の検出実験
利用探测波和泵浦波对裂纹玻璃进行二次谐波超声波检测实验
  • DOI:
  • 发表时间:
    2022
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Yamaguchi Takafumi;Usami Naoto;Misumi Kei;Toyokura Atsushi;Higo Akio;Ono Shimpei;Hwang Gilgueng;Larrieu Guilhem;Ikeuchi Yoshiho;Tixier-Mita Agnes;Saito Ken;Levi Timothee;Mita Yoshio;舩戸 徹郎;三木 勇太, 齋藤 博史,村田 章;亀島 司,福田 誠,西平 守正
  • 通讯作者:
    亀島 司,福田 誠,西平 守正
Influence of Pretreatment on Adhesion Quality of Supercritical-fluid-deposited Cu Film on Si
预处理对硅基超临界流体沉积铜膜附着质量的影响
  • DOI:
    10.18494/sam.2019.2316
  • 发表时间:
    2019
  • 期刊:
  • 影响因子:
    1.2
  • 作者:
    Usami Naoto;Ota Etsuko;Momose Takeshi;Higo Akio;Mita Yoshio
  • 通讯作者:
    Mita Yoshio
反応性スパッタ法により作製したTiOx 薄膜の電気特性評価
反应溅射法制备TiOx薄膜电学性能评价
  • DOI:
  • 发表时间:
    2017
  • 期刊:
  • 影响因子:
    0
  • 作者:
    Higo Akio;Sawamura Tomoki;Fujiwara Makoto;Ota Etsuko;Mizushima Ayako;Lebrasseur Eric;Arakawa Taro;Mita Yoshio;福本 泰士,有田 正志,福地 厚,高橋 庸夫
  • 通讯作者:
    福本 泰士,有田 正志,福地 厚,高橋 庸夫

Higo Akio的其他文献

{{ item.title }}
{{ item.translation_title }}
  • DOI:
    {{ item.doi }}
  • 发表时间:
    {{ item.publish_year }}
  • 期刊:
  • 影响因子:
    {{ item.factor }}
  • 作者:
    {{ item.authors }}
  • 通讯作者:
    {{ item.author }}

相似国自然基金

基于应力平衡量子阱结构的超高效GaInP/GaAs(QWs)/InGaAs太阳电池研究
  • 批准号:
    62304243
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
InGaAs/Si大失配异质界面稳定性及高增益带宽积APD研究
  • 批准号:
    62375229
  • 批准年份:
    2023
  • 资助金额:
    49 万元
  • 项目类别:
    面上项目
趋于单光子探测的高增益、低功耗InGaAs异质结光电晶体管基础研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
InGaAs/InAlAs异质结双鳍电子空穴双层隧穿场效应晶体管研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2022
  • 资助金额:
    33 万元
  • 项目类别:
    地区科学基金项目
基于高迁移率材料InGaAs与Ge的MOSFET器件设计与电学特性研究
  • 批准号:
  • 批准年份:
    2021
  • 资助金额:
    30 万元
  • 项目类别:
    青年科学基金项目

相似海外基金

Complementary vertical tunnel FET aiming for low voltage and high speed operation by heterostructure design and miniaturization
通过异质结构设计和小型化实现低电压和高速运行的互补垂直隧道 FET
  • 批准号:
    26249046
  • 财政年份:
    2014
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
3D InGaAs MOSFET with regrown source/drain
具有再生源极/漏极的 3D InGaAs MOSFET
  • 批准号:
    25420322
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
低消費電力デバイス向け化合物半導体と高誘電率絶縁膜及び金属電極の界面設計指針創出
为低功耗器件的化合物半导体、高介电常数绝缘膜和金属电极制定界面设计指南
  • 批准号:
    13J08817
  • 财政年份:
    2013
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for JSPS Fellows
Confirmation of Mesoscopic Spin Transport in InGaAs Quantum Wells
InGaAs 量子阱中介观自旋输运的确认
  • 批准号:
    23360001
  • 财政年份:
    2011
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
Construction of III-V CMOS Photonics
III-V CMOS 光子学的构建
  • 批准号:
    22686034
  • 财政年份:
    2010
  • 资助金额:
    $ 16.97万
  • 项目类别:
    Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
{{ showInfoDetail.title }}

作者:{{ showInfoDetail.author }}

知道了